【导读】日前，威世科技（Vishay Intertechnology, Inc.）正式宣布推出五款全新的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET功率模块（VS-SF50LA120至VS-SF200SA120系列）。这些采用行业标准SOT-227封装的最新器件，旨在通过集成软体二极管和低反向恢复特性，显著降低开关损耗并提升功率效率。作为专为汽车、能源、工业及通信领域高频应用打造的高性能解决方案，该系列产品不仅支持高达+175°C的工作结温和2500 V的电气绝缘，更以其“即插即用”的兼容设计，为太阳能逆变器、电动汽车车载充电器及储能系统等关键应用提供了无需更改PCB布局即可升级的高效替代方案。
此次推出的每个功率模块都采用单开关和低边斩波器配置，内置的SiC MOSFET集成了软体二极管，可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗，提高了效率，可适用于太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源（UPS）、暖通空调（HVAC）系统、大规模电池储能系统以及通信电源设备等领域。
VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用紧凑型的SOT-227封装，使得这些器件能够作为现有设计中竞品的“即插即用”型替代方案。这样，设计人员无需对PCB布局进行更改，即可采用最新的SiC技术，从而节省成本。模压封装还可提供高达2500 V（一分钟）的电气绝缘，通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求，进一步降低了成本。
这些功率模块提供50 A至200 A的连续漏极电流，导通电阻低至12.1 m。这些器件符合RoHS标准，具备低电容高速开关特性，并可支持+175 C的最高工作结温。
器件规格表：
威世科技此次推出的新一代SiC MOSFET功率模块，凭借50 A至200 A的宽电流范围、低至12.1 mΩ的导通电阻以及卓越的耐高温性能，成功在提升系统效率与简化设计流程之间取得了平衡。其紧凑的模压封装不仅消除了对额外绝缘措施的需求，还大幅降低了整体系统成本，使得设计人员能够轻松将最新的碳化硅技术融入现有架构中。随着这些符合RoHS标准的模块在各类高功率密度场景中的广泛应用，它们将成为推动电动汽车、可再生能源及工业电源系统向更高效、更紧凑方向发展的关键驱动力。
