【导读】三菱电机株式会社将自9月起陆续发售 “X系列HVIGBT※1模块”8个产品（包含电压等级3.3kV、4.5kV、和6.5kV）。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2017 -MOTORTECH JAPAN-”（4月19-21日本幕张举行）“PCIM※1 Europe 2017”（5月16-18日于德国纽伦堡举行）以及“PCIM※1 Asia 2017”（6月27-29日于中国上海举行）上展出。
此次发售的产品是功率半导体模块的新产品，主要用于需要高耐压、大电流、高可靠性的铁路牵引、电力传输、大型工业设备等领域。
X系列HVIGBT模块
新产品的特点
1．实现行业顶级水平的额定电流，为逆变器的大容量化做贡献
·在“X系列”中增加3.3kV级（1200A/1800A）、4.5kV级（900A/1350A/1500A）、6.5kV级（600A/900A）共计8个产品
·3.3kV、4.5kV级实现了行业顶级水平※2的额定电流1800A、1500A，可实现更大容量的逆变器
2．应用第7代IGBT和RFC二极管，为逆变器的小型化做贡献
・采用三菱CSTBTTM※3结构的第7代IGBT和RFC二极管※4 硅片技术，与以往产品相比※5，功率损耗降低
约20％
·与具有相同耐压和额定电流的以往产品※5相比，外形尺寸大约缩小33%，可为逆变器的小型化做贡献
·全系列产品实现了150℃的工作保证温度，因此可以简化逆变器冷却系统设计，有利于逆变器的小型化
3．通过优化封装结构，为提高逆变器的可靠性做贡献
·通过优化封装内部结构，提高散热性、耐湿性、阻燃性，延长产品寿命
发售概要
销售目标
三菱电机的“HVIGBT”模块自1997年实现产品化以来，以其优异的性能和高可靠性获得好评，被广泛应用于铁路车辆牵引系统、直流输电设备以及大型工业设备等。
近年来，由于人们环保意识提高，对逆变器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越来越高。
本公司为满足这些需求，自2015年11月开始发售“X系列HVIGBT模块”的6.5kV/1000A产品，该产品通过采用第7代IGBT和RFC二极管，降低功率损耗，实现了大容量化。
此次，本公司在“X系列HVIGBT模块”产品阵容中增加8个产品，为逆变器的大容量、小型化做出贡献。
主要规格
※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管
※2 截至2017年4月5日，根据本公司的调查
※3 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
※4 Relaxed Field of Cathode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率
※5 X系列CM1200HC-66X与H系列CM1200HC-66H的比较
