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艾为电子推出新一代低插损高隔离SP4T射频开关-AW13504HFLR

发布时间:2023-11-22 责任编辑:lina

【导读】随着5G技术的不断发展,终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发,在射频链路上对开关的要求也越来越高。AW13504HFLR是一款采用了国产工艺,具有低插损、高隔离及高耐受功率的单刀四掷(SP4T)开关,适用于HPUE高功率用户设备和5G射频前端。


随着5G技术的不断发展,终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发,在射频链路上对开关的要求也越来越高。AW13504HFLR是一款采用了国产工艺,具有低插损、高隔离及高耐受功率的单刀四掷(SP4T)开关,适用于HPUE高功率用户设备和5G射频前端。


应用场景


http://www.cntronics.com/


AW13504HFLR主要特性

  • 频率范围:0.1~7.125GHz

  • 输入电压范围:1.65V~1.95V

  • 插入损耗:0.89dB typical@6GHz

  • 端口隔离度:23dB typical@6GHz

  • 耐受功率可达40dBm

  • 开关速度:Tsw=1.5μs

  • 单电源供电

  • 支持MIPI 2.1协议

  • 封装:FCLGA 1.1mm * 1.1mm * 0.47mm – 9L


产品优势一:极快的切换时间 Tsw=1.5μs


5G SRS作为5G系统中的重要参考信号,为实现终端设备和基站之间的同步和测量提供了关键支持。通过SRS信号,系统可以实现时间同步,频率偏移校准和信道质量评估等功能,从而提供更高效、可靠的通信服务。AW13504HFLR极快的开关切换时间可以应用于SRS 信号发射。


http://www.cntronics.com/

AW13504HFLR可应用于5G SRS


产品优势二:低插入损耗0.89dB typical @ 6GHz


接收灵敏度是接收机性能的一个关键指标,它决定了接收机是否能够在弱信号条件下正常运作;发射功率是发射机性能的一个关键指标,UE发射的信号需要经过空间的衰落之后才能到达基站,越高的发射功率意味着越远的通信距离。AW13504HFLR优秀的低差损及高线性度性能,使其不仅在接收通路能够获得更优的灵敏度,也能在发射通路降低功率损耗获得更高的发射功率,更易满足HPUE设计需求。


艾为电子推出新一代低插损高隔离SP4T射频开关-AW13504HFLR

AW13504HFLR可用于发射通路和接收通路


产品优势三:良好的抗静电性能


在电子设备的制造、测试和维护过程中,静电常常是一个不可避免的问题。由于电子设备中的电子元件和电路板非常敏感,即使是微小的静电电荷也可能会损坏它们。因此,防静电管理系统非常重要。AW13504HFLR具有优秀的抗静电性能,可以减少设备的损坏和损失,从而降低生产成本和维修成本。


艾为电子推出新一代低插损高隔离SP4T射频开关-AW13504HFLR


AW13504HFLR的静电能力


总结


AW13504HFLR具有高达40dBm的高功率容量可以满足5G及HPUE的应用需求,其低插损除了可以获得更好的灵敏度以外还能降低发射功率的损耗获得更大的发射功率。1.5us的切换速度可以满足5G SRS应用的要求。高达7.125GHz的支持带宽可以覆盖蜂窝射频和WiFi的应用需求。这些优异的性能使得AW13504HFLR可以灵活应用于射频前端的设计当中,为前端电路设计带来便捷。


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