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湖南静芯推出超小型封装单向深回扫静电防护器件SEUCS2X5V1U

发布时间:2026-08-07 责任编辑:lijiahuan

【导读】湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X5V1U。SEUCS2X5V1U是一款工作电压为5V的超低电容深回扫型单向ESD保护器件,专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件,使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范,SEUCS2X5V1U可用于提供高达±20kV(接触放电) 和±20kV(空气放电)的ESD保护,可承受高达7A(8/20us)的峰值脉冲电流,支持pin-to-pin替代PESD5V0C1USFYL等市场内常见单向深回扫防护器件。


深回扫型ESD介绍


回扫特性ESD防护器件具有超小封装体积、超低钳位电压、超低结电容特性,相比常规工艺 TVS 防护效果更优,且不影响信号完整性,可更有效保护高速数据接口免受瞬态过电压的影响,为相关电子产品设备加固防护,提升消费者使用体验。


常规型ESD的电压会随着IPP(峰值脉冲电流)的增加而等比例增加,呈现出一个较为线性的增长趋势。而深回扫型ESD器件在当电压达到VT(触发电压)后会瞬间将两端的钳位电压拉低,进入一个小于工作电压VRWM的较低电压VHOLD,之后随着电流的增加电压逐渐增大。


其相较于常规ESD器件的优点有:


1.更低的钳位电压:在相同的IPP下,带回扫ESD的VC(钳位电压)比常规ESD器件低30%以上。


2.更低的漏电流:这类ESD器件具有更低的漏电流,有助于降低设备的功耗,实现更节能的设计。


3.更深的应用范围:带回扫ESD的优异性能使其适用于更深的领域,如低压移动电子设备、汽车电子、工业控制等对ESD保护要求较高的场合。


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图1 ESD特性曲线图对比


通过对比常规ESD和带回扫ESD的特性曲线图及其优点,可以看出带回扫ESD在ESD保护方面具有更出色的性能和应用前景。


SEUCS2X5V1U介绍


SEUCS2X5V1U是湖南静芯研发的一款工作电压最大值为5V的超低电容深回扫型单向ESD静电保护器件,专门设计用于保护高速数据接口免受过应力事件的影响。其钳位电压为3V,具有0.42pF的极低电容,可确保信号完整性,且器件采用超小型DFN0603-2L封装,可极大节省电路板空间。根据IEC 61000-4-2 (ESD) 规范,SEUCS2X5V1U可用于提供高达±20kV(接触放电),±20kV(空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达7A(8/20μs)的峰值脉冲电流。


随着超高速通信的需求日益增长,芯片组尺寸越来越小,对于瞬态电压的耐受度也随之降低,这增加了对ESD 保护二极管的需求。一个兼具高IPP和低VCL的器件,通常可以替代以往需要多个器件或更复杂电路才能实现的保护等级,节省板内空间降低成本。单向ESD器件的核心优势在于为单极性信号提供更优、更精准的保护,且比起双向器件能提供更好的负向钳位性能。


该器件的相关曲线图及参数如下所示。


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IV曲线 击穿电压曲线


钳位电压曲线 结电容曲线


表1 SEUCS2X5V1U相关曲线图


At TA = 25℃ unless otherwise noted



表2 SEUCS2X5V1U电气特性表


应用示例


SEUCS2X5V1U用于保护单条单向数据或信号线,使其免受静电放电(ESD)以及浪涌脉冲造成的损坏。该器件可用于信号相对于地为正极性或负极性的线路上。本器件不适合应用于连接直流电源的线路。


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图2 SEUCS2X5V1U应用示例


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