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东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器

发布时间:2025-02-13 责任编辑:lina

【导读】东芝现已在东芝半导体(泰国)生产基地开始量产小型封装的TCR3DMxxA系列低压差(LDO)稳压器和TCR3EMxxA系列低耗电量电流消耗LDO稳压器。


东芝现已在东芝半导体(泰国)生产基地开始量产小型封装的TCR3DMxxA系列低压差(LDO)稳压器和TCR3EMxxA系列低耗电量电流消耗LDO稳压器。


东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器


TCR3DMxxA新系列是一款低压差(LDO)稳压器,而TCR3EMxxA系列是低耗电量电流消耗LDO稳压器。这两个系列的控制引脚阈值电压均为VCTH=0.8 V(最小值),支持1.2 V I/O,有助于降低器件设备的能功耗。


TCR3DMxxA系列和TCR3EMxxA系列均采用小型和薄型低高度贴片式DFN4D封装。此外,因为可以结合小型陶瓷型可用于输入和/输出电容器,因此适用于移动设备、可穿戴设备以及具有高密度安装要求的其他小型设备的电源线。


东芝网站上现已发布基于以下新产品的参考设计:TCR3EMxxA/3DMxxA/3LMxxA系列LDO稳压器,具有300 mA输出,采用小型DFN4D封装,适用于电源电路应用。


东芝将稳定供应LDO稳压器,包括TCR3DMxxA系列和TCR3EMxxA系列的LDO稳压器。


采用新产品的“小型封装DFN4D、300 mA输出LDO稳压器3系列电源电路应用” 的参考设计



东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器

简易方框图


特点

  1. 低压差电压(TCR3DMxxA系列)

  2. 低耗电量电流消耗(低静态电流)(TCR3EMxxA系列)

  3. 小型和薄型低高度DFN4D封装(常用于TCR3DMxxA/3EMxxA系列)


特性说明

1.低压差电压(TCR3DMxxA系列)



东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器

图1:TCR3DM25A压差电压特性


低压差电压:VDO=216 mV(典型值)(VOUT=2.5 V,IOUT=300 mA,Tj=25 °C)


压差电压是在特定输出电流下,输入电压与目标输出电压之间的指定最小电势差。当输入电压下降,输入与输出之间的电势差低于压差电压时,无法调整输出电压。TCR3DMxxA系列是低压差电压产品。因此,在电池供电应用中,即使电池电压下降,也能保持输出电压。此外,由于TCR3DMxxA系列可在低输入电压下输出大电流,因此其功耗低,电源效率高。


2.低电流消耗(低静态电流)(TCR3EMxxA系列)



东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器

图2:TCR3EM25A静态电流特性


低耗电量电流消耗(低静态电流):IB(ON)=35 μA(最大值)(IOUT=0 mA,Vin=5.5 V,Tj=25 °C)


LDO的静态电流是指工作LDO内部控制电路消耗的电流。


当静态电流较低时,整个电路的能耗也会很低。这一优点可延长电池寿命。


TCR3EMxxA系列可将静态电流抑制到35 μA(最大值),有助于实现整个设备的低能功耗和整个器件的长时间驱动运行。


3.小型低高度DFN4D封装(常用于TCR3DMxxA/3EMxxA系列)



东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器


TCR3DMxxA/3EMxxA系列采用小型、薄型低高度贴片式DFN4D封装。此外,这些系列可使用小型陶瓷型输入和输出电容器,因此适用于需要高密度安装的小型设备(如移动设备和可穿戴式终端)的电源线。


应用


移动设备、可穿戴设备、物联网设备等


主要规格


东芝在东芝半导体(泰国)发布TCR3DMxxA和TCR3EMxxA系列LDO稳压器


注:
[1]请参考压差电压特性,并在绝对最高额定结温和工作温度范围内使用压差电压。
[2]控制反偏电流除外(ICT)
[3]VDO=VIN1-(VOUT1×0.97)
     VOUT1表示VIN=VOUT+1.0 V时的输出电压。
     VIN1表示逐渐降低输入电压后输出电压变为VOUT1的97 %时的输入电压。
[4]tr=tf=1.0 μs (在10%至90%范围内定义为0.8 µs)


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