【导读】村田新推出WBSC/WTSC/WXSC硅电容器系列，是特地为最高工作温度250℃（WXSC）的重视可靠性的用途而生产的，适用于DC去耦。
依靠村田的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺，开发极深沟槽结构的硅电容器，静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的击穿电压为150V to 11V）。
本公司的半导体（硅）技术，依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜，完全控制的生产工艺，与其他的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术，使电容器的稳定性位居行业榜首（WXSC的最高工作温度为250℃，WTSC为200℃，WBSC为150℃，温度系数为+60ppm/K）。并且，因为硅在本质上电介质吸收很小，压电效应也很小，或者几乎没有，所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。
特点
薄型250μm
低漏电流
高稳定性（温度、电压）
老化后静电容量也极少下降。
支持标准的引线键合封装（球和楔）
（详情见本公司的封装应用说明）
用途
雷达、航空航天、基础设施无线通信、数据播放、汽车等要求严格的用途
焊盘完全平坦，因此标准的引线键合（球和楔）比MLCC容易
去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路（例如GaN功率放大器、LDMOS）
高可靠性用途
小型化
要求薄型的用途（250μm）
WBSC/WTSC/WXSC系列规格
(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入
系列一览
关于其他的规格值，请向本公司销售人员咨询。
