【导读】村田推出XBSC/UBSC/BBSC/ULSC硅电容器系列是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC阻塞、耦合、旁路接地用途设计的。
依靠村田的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），实现低插入损耗、低反射、高相位稳定性。（支持的频率范围，最低为16kHz，XBSC最高为100+GHz，UBSC最高为60+GHz，BBSC最高为40GHz，ULSC最高为20GHz）这里所使用的深槽硅电容器，是应用半导体的MOS工艺开发的。表现极高的可靠性，对于电压和温度的高静电容量稳定性（0.1%/V，60 ppm/K）。
此外，硅电容器实现了-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜，能够完全控制，确保高度的可靠性和再现性。XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列，以标准的JEDEC组装规则为准，可以顺利支持高速的自动抓放生产工艺。此外，这些电容器符合RoHS标准，可以根据外壳尺寸提供ENIG（镍、金）电极或无铅预凸块。
特点
最大110GHz的超宽带性能
没有共振，可以进行出色的群延迟变化
在传输模式下，凭借出色的抗阻匹配，实现极低的插入损耗
在旁路接地模式下，ESL和ESR很低
对于温度、电压、老化，静电容量值的稳定性很高
高可靠性
可以进行无铅回流封装
（详情见本公司的封装应用说明）
用途
光电产品／高速数据
跨阻放大器（TIA）
光收发组件（ROSA/TOSA）
同步光纤网络（SONET）
高速数字逻辑
宽带测试装置
宽带微波／毫米波
X7R与NP0电容器的置换
薄型用途（400或100μm）
XBSC / UBSC / BBSC / ULSC 系列规格
(*) 示例：10nF/0201M/BV 11V
(*2) 也能根据客户要求支持其他的规格值
(*3) 包装材料除外
(*4) 示例：5.6nF/0201M/BV 30V
(*5) 示例：10nF/0201/BV 30V
(*6) 示例：100nF/0402/BV 11V
系列一览
(*) 仅限于无铅的凸块产品
(*) 仅限于无铅的凸块产品
(*) 仅限于无铅的凸块产品
关于其他的规格值，请向本公司销售人员咨询。
