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Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器

发布时间:2020-03-06 责任编辑:lina

【导读】Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器面向光通信系统(ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件)以及高速数据系统或产品。这些电容器设计用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。
   
Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器
 
Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器面向光通信系统(ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件)以及高速数据系统或产品。这些电容器设计用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。这些硅电容器在宽频率范围(UBSC为16kHz至67GHz,BBSC为16kHz至40GHz,ULSC为16kHz至20GHz)内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器设计采用半导体MOS工艺,可在过电压 (0.1%/V) 和超温 (60ppm/K) 条件下提供高可靠性和电容稳定性。
 
这些元件的扩展工作温度范围为-55°C至+150°C。高温固化过程(高于900°C)可生成高纯度的氧化物,从而提供高可靠性和可重复性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合标准JEDEC组装规则,因此与高速自动拾取贴装生产操作完全兼容。这些电容器符合RoHS指令,根据外壳尺寸的不同,可采用ENIG端接或无引线预焊。
 
特性
● 高达110GHz的超宽带性能
● 无谐振,可实现极低的群时延变化
● 超低插入损耗(得益于传输模式下的阻抗匹配)
● 在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR
● 电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性
● 高可靠性
● 与无铅回流焊兼容
 
规范
● 电容范围:1nF至100nF
● 电容容差:±15%
● 温度范围
● 工作温度范围:-55°C至+150°C
● 储存温度范围:-70°C至+165°C
● 温度系数:+60ppm/K
● 击穿电压:11VDC或30VDC
● 老化:<0.001%/1000小时
● 高度:400µm或100µm
 
应用
● 光电元件/高速数据
● 跨阻抗放大器 (TIA)
● 收发光学子组件 (ROSA/TOSA)
● 同步光纤网络 (SONET)
● 高速数字逻辑
● 宽带测试设备
● 宽带微波/毫米波
● 替代X7R和NP0电容器
● 薄型应用
 
 
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