A30技术包括性能优化的绝缘3.3V器件（NMOSI和PMOSI）、绝缘3.3V低压器件（NMOSIL和PMOSIL）、一个具有薄栅氧化层厚度的绝缘高压器件（(NMOSI20T)、垂直双极型晶体管（VERTN1和VERTPH）以及一个绝缘3.3V超级低噪声晶体管（NMOSISLN），可以提供0.46 pA/Hz水平的闪烁噪声（@ 1kHz，ID = 1µA @ Vds = 3V，10x1.2µm²）。与H35制程工艺相比，可以降低高漏电流的闪烁噪声至少4至10倍。整个器件还包括各种电容（聚酯电容、插入式电容和MOS电容）和电阻（扩散电阻、阱电阻、聚酯电阻、高阻聚酯电阻和精密电阻）等无源器件。

 

A30制程工艺非常适用于超低噪声传感应用和需要噪声优化输入级或高信噪比的模拟读出集成芯片，可为消费类电子产品、汽车、医疗和物联网设备开发出创新型的解决方案。A30制程工艺由艾迈斯半导体先进的200mm制造工厂制造并全面检测，可确保极低的缺陷密度和最高产量。所有0.30µm元件均按照0.35µm器件绘制并验证。在光罩车间内根据完整的GDSII数据进行制程微缩（0.9倍），使得单位面积的晶圆可以生产出更多尺寸较小的芯片。

 

艾迈斯半导体晶圆代工事业部总经理Markus Wuchse表示：“我们的A30高性能模拟低噪声制程工艺可以帮助开发出更具竞争力的传感应用和模拟读出集成芯片，噪声性能优越是其一大关键。代工客户利用A30制程工艺生产复杂的集成芯片可以获得双重收益，超低噪声晶体管具有行业标准的闪烁噪声系数，提高了性能，而光学收缩又大大减少了噪声敏感应用的芯片面积。”

 

A30制程工艺由艾迈斯半导体知名的行业设计套件hitkit提供支持。基于Cadence公司的Virtuoso®定制集成芯片技术6.1.6，新的hitkit套件可帮助设计团队大幅缩减竞争激烈的密集模拟混合信号产品的上市时间。新的hitkit套件具备高精确仿真模型和基于Calibre和Assura以及灵活的SKILL参数单元（PCells）的提取和验证运行设置，可提供全面的设计环境和成熟的硅路线。