【导读】在汽车电气化向48V系统过渡、AI服务器及数据中心工作电压攀升至800V直流电的行业趋势下，高压、高效率功率半导体成为市场核心需求，能承受100V以上电压且实现高效功率控制的工艺技术愈发关键。SK keyfoundry顺势推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺，在比导通电阻、击穿电压等核心性能上实现显著突破，兼具灵活设计特性与严苛可靠性认证，为高压功率器件研发提供了全新解决方案，精准契合汽车电子与AI数据中心的场景需求。

SK keyfoundry新推出的第四代200V高压0.18微米BCD工艺，与上一代工艺相比，Rsp（比导通电阻）和BVDSS（击穿电压）均提升了20%以上，体现了功率效率的提升和高温下的稳定性增强。此外，该工艺针对每个工作电压优化了低导通电阻器件，最大限度地减少了芯片面积和功率损耗，从而提升了整体工艺竞争力。值得注意的是，该工艺提供了多层厚金属间 电介质(Thick IMD)选项，可在采用BCD和高压MOSFET技术的高压、大电流电源管理集成电路(PMIC)器件之间，安全传输数字信号，同时阻断不必要的高压和噪声。它还支持广泛的嵌入式存储选项，包括SRAM、ROM、MTP和OTP，以及用于精密电机控制的霍尔传感器，进一步拓展了高压IC的设计灵活性。

SK keyfoundry的新工艺可应用于开发多种产品，包括高压电源管理和转换IC、电机驱动器、发光二极管(LED)驱动器和电源栅极驱动器。最重要的是，该工艺符合严格的汽车可靠性认证标准AEC-Q100 Grade 0，使其能够直接应用于即使在极端工作条件下也需要高可靠性的汽车电子元件。

SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示："随着AI服务器和汽车电子系统对功率的需求不断增加，市场对超过100V的BCD工艺的需求也在迅速增长。特别是考虑到能够提供基于体硅的高压BCD工艺的晶圆代工厂数量有限，我们200V高压0.18微米BCD工艺的量产是一个具有重要意义的里程碑。我们计划根据功率半导体市场不断变化的客户需求，持续推进我们的工艺技术发展。"