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Vishay发布“R”级失效率耐潮QPL钽氮化物薄膜片式电阻

发布时间:2013-07-01 来源:Vishay 责任编辑:Cynthiali

【导读】Vishay日前宣布推出新系列QPL表面贴装片式电阻---E/H(Ta2N),该电阻具有每1000小时0.01%的“R”级失效率达,并采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造,为军工和航天应用提供包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR的高规格指标。

新系列QPL表面贴装片式电阻E/H(Ta2N)器件通过MIL-PRF-55342认证,具有公认的高可靠性,失效率达到每1000小时0.01%的“R”级。新款E/H(Ta2N)电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造,为军工和航天应用提供了更好的规格指标,包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。

今天推出的Vishay Dale薄膜QPL电阻适用于军工和航天应用的控制系统,在这些场合下,工作过程中的潮气或长时间存放都是需要考虑的问题。器件的钽氮化物电阻膜使器件的耐潮能力超过MIL-PRF-55342规定限值的50倍。

E/H(Ta2N)薄膜电阻具有小于25dB的超低噪声,以及低至0.5ppm/V的电压系数。电阻的卷绕端接采用牢固的粘附层,覆盖一层电镀镍栅层,使器件可在+150℃温度下工作,而粘附层产生的电阻还不到0.010Ω。

器件有M55342/01~M55342/12共12种外形尺寸,功率等级为50mW~1000mW,工作电压为30V~200V,根据公差,阻值范围49.9Ω~3.3MΩ。

E/H (Ta2N)薄膜电阻现已量产,供货周期为八周到十周。

              Vishay发布“R”级失效率耐潮QPL钽氮化物薄膜片式电阻

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