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欧姆龙推出采用T型电路结构的MOSFET继电器模块G3VM-21MT

发布时间:2020-03-10 责任编辑:wenwei

【导读】据欧姆龙官网报道,该公司将于近日发布其新的MOS FET(即金属氧化物半导体场效应晶体管,一种场效应晶体管)继电器模块“G3VM-21MT”,该产品将是世界上第一个采用“T型电路结构”(一种电路结构,常用于衰减器等电子器件以使漏电流最小化)的电子元件。
 
http://ep.cntronics.com/guide/4282/5608
G3VM-21MT
 
T型电路结构由体积小、寿命长的固态继电器组成,无需物理接触即可输出信号,继电器模块可将长期以来半导体测试设备存在的泄漏电流(电路内部的一种状态,电流通过绝缘层泄漏)降至最低。G3VM-21MT可实现高精度测量,提高电子元件的生产效率。
 
G3VM-21MT能够在主要用于半导体器件进行电气试验的试验设备中切换测量信号。除了体积小、寿命长的MOS FET继电器外,G3VM-21MT是世界上第一个具有“T型电路结构”的MOS-FET继电器模块,它由三个MOS-FET继电器组成,在保证高精度测量和降低测试设备维护频率的同时,有助于在不影响测试设备检测精度的情况下将漏电流降至最低水平。
 
在电子元器件功能多样化、生产规模不断扩大的数字化时代,对半导体测试设备的性能要求越来越高。机械簧片继电器(玻璃管内有触点的两根簧片通过缠绕在玻璃管上的线圈的磁通量进行开关)用于半导体测试设备中进行高精度测量的部件,具有极低的泄漏电流,但它们需要定期更换,可能每个月更换几次,因为触点磨损会影响测量精度。这种维护工作可能会极大地影响生产效率,因此随着固态继电器寿命的延长,采用固态继电器一直是人们所期望的。到目前为止,由于MOS-FET继电器在降低漏电流方面的技术难度,结合其特点,认为其不适合进行精确的电气试验,也不适用于可靠性要求较高的试验设备。
 
为了满足这些需求,欧姆龙利用多年培育的电子元件技术,采用“T型电路结构”成功地将继电器模块产品商业化,并显著降低了小于或等于1pA(安培的万亿分之一)的漏电流。在尽可能接近零的固态继电器中减少泄漏电流的挑战消除了泄漏电流问题,提高了测试设备的可靠性。此外,通过将长寿命MOS FET继电器集成到继电器模块中,可以缩短维护停机时间,这对机械继电器来说是一个长期的挑战。随着G3VM-21MT的推出,欧姆龙将努力为提高电子元器件的生产率做出贡献,支持社会数字化转型的演进。
 
http://ep.cntronics.com/guide/4282/5608
G3VM-21MT应用场景
 
G3VM-21MT具有如下特征:
 
首先,可通过将泄漏电流降至1pA或更低,提高设备可靠性。漏电流一直是半导体继电器的一个长期缺点,G3VM-21MT通过将漏电流降至1pA或更低来帮助解决这个问题。
 
其次,G3VM-21MT成功地实现了低于或等于0.1pA水平的实际性能,同时最大限度地降低了对应用测量精度的影响。
 
第三,寿命更长,维护频率显著降低。G3VM-21MT继电器模块的输出电路由半导体MOS-FET继电器组成,没有物理触点,因此不需要对触点进行磨损或磨损维护,因为电路的打开和关闭不会产生电弧放电。
 
最后,可减少安装空间-通过节省空间和电线进行高密度安装。G3VM-21MT将输入输出电路的复杂接线图融入到内部模块中,实现了5mm×3.75mm×2.7mm的紧凑尺寸,最终简化了应用的PCB布线。
 
 
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