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萨瑞微SR45C03PS:健身器材电机控制的优选MOSFET方案

发布时间:2026-01-20 责任编辑:lily

【导读】在智能健身器材向高效化、静音化、可靠化升级的浪潮中,电机驱动与电源管理系统的性能直接决定用户体验与产品竞争力。江西萨瑞微电子深耕功率半导体领域,推出的SR45C03PS N&P沟道增强型MOSFET,以先进沟槽单元设计、优异散热性能、快速开关响应及全面可靠性保障,精准破解跑步机、动感单车、筋膜枪等器材的核心技术痛点。


产品核心特点


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先进沟槽单元设计


采用高效Trench结构,实现低导通电阻与高开关速度的平衡。


低热阻设计


结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W,散热性能优异,支持高功率持续输出。


低栅极电荷与快速开关


栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道),配合 ns 级开关时间,提升系统响应效率。


全面可靠性保障


100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试,确保每颗器件都符合严苛标准。


环保工艺


符合无卤、无铅环保要求,适用于绿色电子产品设计。


关键性能参数


作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET,SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”:


N沟道 MOSFET


VDSS:30V


RDS(on):6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A


连续漏极电流:82A @ TC=25℃


栅极阈值电压:1.0V ~ 2.5V


P沟道 MOSFET


VDSS:-30V


RDS(on):7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A


连续漏极电流:-75A @ TC=25℃


栅极阈值电压:-1.2V ~ -2.5V


在健身器材中的核心应用


跑步机


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高连续电流与峰值电流能力,满足电机驱动的动力需求,应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗,配合宽温范围适配不同使用环境;


筋膜枪


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N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动,快速开关响应支持精准 PWM 调速,实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性,助力产品小型化与长续航;


动感单车


稳定的功率控制性能适配电动磁控系统,实现 32 档以上精准调阻,让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命,适配智能阻力自动调节场景;


椭圆机


高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统,将运动产生的可变电压稳定转换,实现绿色能源再利用;


健身功率计


低栅极电荷与快速开关特性,提升功率检测的响应速度与精度,为运动数据监测提供可靠支持。


SR45C03PS MOSFET以“实力派”性能参数与多场景适配能力,充分彰显了功率半导体在健身器材升级中的核心支撑作用。低内阻、高散热、快响应的特性兼顾了器材的动力需求与能耗控制,全面的可靠性测试与环保工艺则筑牢了产品长期稳定运行与绿色设计的基础。作为功率半导体领域的深耕者,江西萨瑞微电子始终以专业技术与高效服务,用优质器件赋能健身器材创新升级。期待与更多行业伙伴携手,将核心半导体技术转化为产品竞争力,共同推动智能健身设备向更高效、更可靠、更绿色的方向发展。


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