智能手机随着多波段化的趋势，频带数增加了，功率放大器等的高频模块数量也增加了，对高Q值电容器要求更小型化。高Q值电容器由于其自身损耗小，就能降低对组合电路整体的损耗。以前，0603是高Q值电容中尺寸最小的，村田将0402尺寸GJM02系列高Q值电容商品化。

高Q值电容器的特征：高频中Q值高；电极的电感值成分小，ESR值低。电容器是高频电路运作的重要元器件之一，主要用作阻挡直流分量的耦合、阻断交流分量的旁路，与线圈组合用于滤波电路、共振电路、匹配电路等各种电路中，根据不同的目的进行了使用分类。高Q值片状独石陶瓷电容器的Q值非常高，在1000 以上（1MHz），比一般用电容器的损耗更低，特别适用于共振电路、调谐电路、阻抗匹配电路这类电容器的损耗对套装的电力消耗、信号干扰、发热特性等有巨大影响的高频电路。

为了实现以上性能，除了采用电介质损耗小的材料外，使用的电极材料及结构也都是损耗较小的设计。电介质材料所使用的是高频损耗非常小的锆酸钙 （CaZrO3）系列陶瓷材料。另外，由于是高频，就无法无视内部电极的电阻损耗，因此内部电极采用铜电极。铜的电阻率是1.67µΩ・cm，与一般用作陶瓷电容器内部电极的钯的电阻率10.7µΩ・cm相比，小了约1/6，适于用作高频电容器的电极。

此外在元器件封装过程中，由于以前采用了纸类包装，该包装纸出现的掉毛掉粉等现象会影响封装过程的产品清洁度，以及由静电导致对产品的误吸料和存储模块等ESD（静电放电）破坏的问题，因此对超小型产品用的包装方法有了新的要求。对GJM02系列导入了宽4mm、元器件间隔距离为1mm的Emboss编带包装 (使用塑料载带)的新包装方法，称为W4P1。