【导读】村田制作所已将具有温度补偿U2J特性的汽车用金属端子型多层陶瓷电容器KCM系列和用于一般用途的金属端子型多层陶瓷电容器KRM系列商品化。我们的主要目标是将其用于车载设备和工业设备的IGBT缓冲电路等。该产品于2020年5月开始批量生产。
缓冲电路是一种在开关过程中防止产生尖峰高电压并保护IGBT等使用开关装置的电源设备的电路。组成该缓冲电路的电容器用于吸收由变压器和配线等的电感产生的浪涌电压，并保护开关元件和外围零件。在车载设备和工业设备中，由于高功能化所导致的内置模块小型化和越来越广泛地采用具有出色的耐热性的SiC，导致对所使用的电子元器件也提出了小型化和高温兼容性的要求。该产品是金属端子型多层陶瓷电容器，与高介电常数型陶瓷材料相比，它使用损耗低、自发热小、静电电容变化小的温度补偿陶瓷材料，最适合用于实现在开关过程中有大电流流过的缓冲电路零件的小型化和高温兼容性。此外，我们还在产品阵容中增加了C0G特性中没有的1250V额定产品，以满足更大范围的需求。
产品概要
产品阵容
用于汽车
● 工作温度范围 : -55 ～ +125℃
● 额定电压 : 630Vdc ～ 1000Vdc
● 静电容量 : 8.2 ～ 94nF
● 温度特性 : U2J 特性
一般用途
● 工作温度范围 : -55 ～ +125℃
● 额定电压 : 630Vdc ～ 1250Vdc
● 静电容量 : 8.2 ～ 94nF
● 温度特性 : U2J 特性
术语说明
IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor。一种支持高耐压和大电流的功率半导体设备。
SiC : 碳化硅（Silicon Carbide）。具有出色的耐热性，并用作功率设备的半导体材料。
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