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村田推出可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器

发布时间:2019-01-02 责任编辑:lina

【导读】依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器,厚度仅为100μm(也能根据要求薄至80μm),对于需要最佳去耦特性的设计人员而言,这是最适合嵌入用途的解决方案。

村田推出可薄至100μm的引线键合/嵌入用硅电容器 

依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器,厚度仅为100μm(也能根据要求薄至80μm),对于需要最佳去耦特性的设计人员而言,这是最适合嵌入用途的解决方案。
 
EMSC被优化为多层基板封装、刚性/柔性PCB、FR4、陶瓷、玻璃、引线框架或金属薄片的平台。硅电容器技术,提供电容器集成功能(最高250nF/mm2),与现有解决方案相比,可以更加小型化。村田的技术,与钽和MLCC等替代的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍,不会发生开裂现象。半导体(硅)技术,在工作电压和工作温度的整个范围内,静电容量极其稳定,并稳定保持高绝缘电阻。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准,可以进行无铅回流封装。
 
特点
 
100μm的超薄型(也能根据要求薄至80μm)
低ESL和ESR
低漏电流
高可靠性
嵌入或引线键合解决方案
(详情见本公司的封装应用说明)
 
用途
 
医疗、航空航天、汽车产业等要求严格的所有用途
电源去耦/能动元件滤波
高可靠性用途
使用电池的设备
限制体积的用途
EMSC系列规格
 
 
EMSC系列规格
系列一览
 
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