【导读】依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要最佳去耦特性的设计人员而言，这是最适合嵌入用途的解决方案。
依靠村田应用半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。支持引线键合和嵌入的薄型硅电容器，厚度仅为100μm（也能根据要求薄至80μm），对于需要最佳去耦特性的设计人员而言，这是最适合嵌入用途的解决方案。
EMSC被优化为多层基板封装、刚性/柔性PCB、FR4、陶瓷、玻璃、引线框架或金属薄片的平台。硅电容器技术，提供电容器集成功能（最高250nF/mm2），与现有解决方案相比，可以更加小型化。村田的技术，与钽和MLCC等替代的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍，不会发生开裂现象。半导体（硅）技术，在工作电压和工作温度的整个范围内，静电容量极其稳定，并稳定保持高绝缘电阻。这项以硅为基础的技术符合RoHS标准，可以进行无铅回流封装。
特点
100μm的超薄型（也能根据要求薄至80μm）
低ESL和ESR
低漏电流
高可靠性
嵌入或引线键合解决方案
（详情见本公司的封装应用说明）
用途
医疗、航空航天、汽车产业等要求严格的所有用途
电源去耦／能动元件滤波
高可靠性用途
使用电池的设备
限制体积的用途
EMSC系列规格
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系列一览
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