【导读】英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件结合采用了创新的封装技术和英飞凌的薄晶圆工艺，规格性能超出同类所有其他产品。英飞凌采用扩散焊接芯片贴装工艺生产TO-220、TO-262和TO-263等无铅封装，与采用标准铅基芯片贴装焊接工艺的同类器件相比，导通电阻降低20%。
鉴于对于封装几何结构、芯片焊垫厚度和芯片尺寸的特定要求，扩散焊接芯片贴装工艺到目前为止是世界上唯一可以实现TO-220、TO-262和TO-263三种封装的生产工艺。
这些MOSFET系列器件使得英飞凌不但率先达成现行的RoHS（有害物质限制指令）有关用于将芯片附着到封装的铅基焊料的要求，而且可以满足即将在2014年之后实施的更严格的ELV RoHS指令要求。作为业界第一款完全无铅的MOSFET，英飞凌的这些器件可帮助客户满足目前和将来这方面的严格要求。
英飞凌获得专利的无铅芯片贴装（芯片和封装引线框架之间互联）采用扩散焊接方法，可改善芯片的电气和热性能、可制造性和质量。这种芯片贴装技术结合英飞凌的薄晶圆工艺（60微米，而不是标准的175微米）可让电力半导体器件实现如下几大改善：
* 因为不采用铅和其他有毒材料，因此是一项环保技术
* 结合采用扩散焊接芯片贴装工艺和薄晶圆技术，可显著降低器件的导通电阻（RDS(on)）
* 热阻（RthJC）改善40%至50%，因为传统铅基软焊材料的导热性较差，阻碍了MOSFET结上产生的热量的消散
* 由于不存在溢焊和芯片倾斜现象，而且没有更严格的RDS(on) 和RthJC分布要求， 结果改善了芯片的可制造性。由于产品内部的电机压力得以降低，进而可改善产品的可靠性和质量
OptiMOS T2 40V——即IPB160N04S4-02D的规格为：电流160A；RDS(on)仅2.0m?；RthJC为0.9K/W。与采用标准铅基芯片贴装焊接工艺的同类器件相比，导通电阻降低20%。此外，采用英飞凌获得专利的扩散焊接工艺降低了“芯片到引线框架”的热阻，使得OptiMOS T2具备同类最佳性能。
