【导读】2月8日，安谱隆半导体（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本。
由于其高工作效率——通常高于68%，其冷却需求也保持在最低限度，这有助于进一步降低所需的空间。
BLF0910H9LS600具有高增益的优势——其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB类应用中以50V VDS测得——这有助于提高放大器的整体效率。
通过使用2个这种小型SOT502封装的600W晶体管，设计人员可以在与单个SOT539封装相同的空间中搭建出一个1.2kW的射频功率放大器。这种架构还有助于降低晶体管温度，从而有效实现比单个SOT539解决方案更高的效率。
BLF0910H9LS600集成了ESD保护和内部输入匹配。此匹配增加了晶体管的输入阻抗，简化了PCB匹配结构的设计，从而可实现紧凑的放大器设计。
关于安谱隆半导体（Ampleon）：
安谱隆半导体创立于2015年，在射频功率领域拥有50年的领导地位，旨在发挥射频领域数据和能量传输的全部潜力。安谱隆半导体在全球拥有超过1,350名员工，致力于为客户创造最佳价值。 其创新而又一致的产品组合，可为诸如移动宽带基础设施、收音机和电视广播、CO2激光器和等离子体、核磁共振成像（MRI）、粒子加速器、雷达和空中交通管制、非蜂窝通信、射频烹饪和除霜、射频加热和等离子照明等广泛应用提供产品和解决方案。
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