【导读】2025年10月29日，德国慕尼黑，在工业级快速直流电动汽车充电、兆瓦级充电、储能系统以及不间断电源等应用场景中，设备往往需要在严苛的环境条件与剧烈波动的负载下持续运行。这些应用对系统的能效、功率循环稳定性以及使用寿命提出了极高要求。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司——全球功率系统和物联网领域的半导体领先企业，正式推出其EasyPACK™封装家族的新一代产品：EasyPACK™ C系列。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT
该系列首款产品是一款碳化硅（SiC）功率模块，融合了英飞凌先进的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技术，并应用了公司专有的.XT互连技术。通过显著降低静态损耗并提升整体可靠性，该模块能够有效满足工业应用对能源效率日益增长的需求，助力客户实现可持续发展目标。
得益于英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2技术，新一代模块的功率密度较上一代提升超过30%，使用寿命最高可延长20倍。同时，其导通电阻（RDS(on)）显著降低约25%，进一步优化了系统能效。全新的EasyPACK™ C封装设计理念不仅提升了功率密度与布局灵活性，也为未来更高电压等级的产品开发铺平了道路。结合英飞凌成熟的.XT互连技术，模块的使用寿命得到进一步延长。
该系列模块具备卓越的耐高温与电气隔离性能：可承受高达200°C的结温过载开关工况，并在最高175°C的持续运行结温下保持稳定。其隔离等级达到一分钟3千伏交流电，增强了系统安全性。此外，模块采用新一代PressFIT压接引脚，电流承载能力提升一倍，有效降低PCB板温度，并简化安装流程。优化的塑封材质与硅凝胶设计，进一步保障了模块在高温环境下的可靠性，从而实现更高的系统效率与更长的使用寿命。
全新EasyPACK™ C封装模块提供多种拓扑结构选择，包括三电平和H桥配置，同时提供含热界面材料与不含热界面材料两种版本，以满足不同客户的系统集成需求。
