【导读】2025年10月17日，德国慕尼黑讯，随着电动汽车充电、电池储能系统及商用、工程与农用车辆（CAV）等大功率应用场景的快速发展，市场对系统功率密度和效率提出了更高要求。然而，性能预期的提升也带来了新的设计挑战，包括严苛环境下的可靠运行、瞬态过载时的稳定性保障，以及整体系统性能的优化。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）——全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，推出了采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高直流母线电压，具备卓越的热性能，有助于实现更紧凑的系统尺寸与更高的运行可靠性。
为应对上述挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正式推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，具备卓越的热性能，有助于实现更紧凑的系统尺寸与更高的运行可靠性。
该系列所采用的TO-247PLUS-4回流焊封装具备出色的工艺耐受性，支持在高达260°C的温度下进行多达三次回流焊操作，并可在结温达200°C的条件下稳定运行，同时保持优异的峰值电流能力。结合英飞凌.XT互联技术，这些器件即便在严苛工况下，也能实现更优的热管理与更强的机械鲁棒性。
此外，全新的1400V电压等级为系统设计提供了更大的开关速度裕量，并简化了过压保护机制，从而降低了对功率降额的需求，进一步提升系统整体可靠性。
该系列CoolSiC™ MOSFET的导通电阻（RDS(on)）范围覆盖6至29毫欧，广泛适用于对功率密度要求极高的场景，如商用、工程及农用车辆（CAV）、电动汽车充电桩和电池储能系统等。除该封装外，英飞凌还提供采用高爬电距离TO-247-4封装的1400V CoolSiC™ MOSFET系列，其RDS(on)范围覆盖11至38毫欧，同样适用于光伏等高性能应用场景，进一步拓展了公司在高功率半导体领域的产品布局。
