【导读】据 Wccftech 报道，英特尔已做好充分准备，将开放其最先进的 Intel 14A 工艺节点，面向广泛的外部客户。这一举措，无疑将在芯片代工市场掀起新的波澜。
据 Wccftech 报道，英特尔已做好充分准备，将开放其最先进的 Intel 14A 工艺节点，面向广泛的外部客户。这一举措，无疑将在芯片代工市场掀起新的波澜。
技术解析：14A节点的革新性突破
●Intel 14A是英特尔“四年五个制程节点”技术蓝图中的巅峰之作，其在性能、功耗和密度上实现了全面飞跃。
●显著性能提升：官方数据显示，相较于已量产的Intel 18A，14A可实现15%-20%的每瓦性能提升，同时功耗降低25%-35%。
●晶体管密度飞跃：得益于更先进的制造技术，其晶体管密度提升高达30%，为芯片容纳更多功能单元奠定基础。
●核心技术创新：该节点将采用第二代RibbonFET环绕栅极（GAA）晶体管架构，并引入全新的 PowerDirect直接触点供电技术（可视为PowerVia背面供电技术的演进）。这些底层创新是提升能效的关键。
先进光刻机就位，产能精度双提升
英特尔在生产设备方面也动作频频。公司宣布已完成 ASML Twinscan EXE:5200B 光刻机的安装工作。这款设备可不简单，它是业界首款搭载 0.55 数值孔径投影光学系统的商用 High - NA EUV 光刻机。目前，该设备已顺利通过验收测试，将全力投入到 Intel 14A（1.4nm）工艺的研发工作当中。
ASML TWINSCAN EXE:5200B 性能出众，在 50mJ/cm²的剂量下，每小时能够处理 175 片晶圆。英特尔并不满足于此，计划进一步优化设备性能，将产能提升至每小时 200 片以上。而且，这款新系统还显著提升了套准精度，达到了 0.7nm 的高水平，为芯片制造的精准度提供了有力保障。
值得一提的是，早在 2023 年底，英特尔就接收了首台 High - NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000，并于 2024 年初在美国俄勒冈州的 Fab D1X 晶圆厂完成安装。如今，该晶圆厂已成为英特尔半导体技术的核心研发基地，为英特尔的芯片制造技术发展提供了强大的支撑。
近日在瑞银全球科技与人工智能会议上，英特尔副总裁John Pitzer透露，公司最新一代Intel 18A制程的良率已实现“惊人提升”，采用该工艺的Panther Lake芯片将于2026年1月正式推出。
广发证券（香港）的分析报告指出，英伟达与AMD计划将14A工艺用于下一代服务器CPU产品。此举主要源于头部芯片公司对于分散供应链风险、降低对单一代工厂依赖的迫切需求。此前，这两家公司的顶级产品高度依赖台积电的先进产能。
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