【导读】日本NAND闪存龙头铠侠（Kioxia）宣布，基于第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC芯片已启动样品出货，并计划于2026年3月底前实现量产。这一动作标志着3D闪存技术正式迈入新一代性能与能效比的提升阶段。
日本NAND闪存龙头铠侠（Kioxia）宣布，基于第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC芯片已启动样品出货，并计划于2026年3月底前实现量产。这一动作标志着3D闪存技术正式迈入新一代性能与能效比的提升阶段。
120层堆叠工艺，性能功耗双突破
铠侠第九代BiCS FLASH闪存采用第五代3D堆叠技术，存储单元层数达到120层。相较于上一代产品，其写入性能提升61%，读取性能提升12%；同时，写入功耗降低36%，读取功耗降低27%，在速度与能效之间实现显著平衡。此外，新品引入Toggle DDR6.0接口，传输速率达3.6Gb/s，进一步满足高速数据传输需求。
量产计划明确，瞄准智能手机等场景
据铠侠透露，第九代NAND闪存将由其四日市工厂生产，量产时间锁定在2026年3月底前的本财年内。该产品预计优先应用于智能手机领域，为5G及未来6G设备提供更高密度的存储支持，同时亦可拓展至数据中心、消费电子等需要大容量、低延迟存储的场景。
结语
铠侠第九代NAND闪存的推出，不仅体现了3D堆叠技术的持续突破，更反映出存储行业对高性能、低功耗解决方案的迫切需求。随着2026年量产临近，该产品有望为智能手机等终端设备注入更强的存储能力，推动数据密集型应用的进一步普及。
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