【导读】韩国科学技术院（KAIST）最新发布的技术路线图揭示了一个颠覆性趋势：到2029年HBM5实现商业化时，半导体行业的竞争焦点将从封装技术转向散热解决方案。这一论断由KAIST电气工程教授Joungho Kim在近期举办的学术活动中提出，其团队主导的Teralab实验室首次完整披露了HBM4至HBM8的迭代蓝图。
韩国科学技术院（KAIST）最新发布的技术路线图揭示了一个颠覆性趋势：到2029年HBM5实现商业化时，半导体行业的竞争焦点将从封装技术转向散热解决方案。这一论断由KAIST电气工程教授Joungho Kim在近期举办的学术活动中提出，其团队主导的Teralab实验室首次完整披露了HBM4至HBM8的迭代蓝图。
散热技术登顶HBM竞争核心赛道
当前，半导体厂商正通过异构封装、硅通孔（TSV）密度优化等技术争夺市场主导权。但根据Teralab的预测，这一局面将在HBM5时代被彻底改写。随着基础裸片承担更多GPU计算任务，HBM4已面临严峻的散热挑战——传统液冷方案仅能覆盖封装体顶部散热器，而HBM5将采用革命性的浸没式冷却架构，将整个基础裸片与封装体浸入冷却剂中。
技术路线图揭示散热革命三阶段
●HBM4（2025-2027）：基础裸片工作负载提升导致发热量激增，推动厂商优化液冷系统设计。
●HBM5（2028-2029）：浸没式冷却技术商用化，通过直接接触冷却剂实现散热效率跃升。
●HBM7（2032-2034）：进入嵌入式冷却时代，冷却液将通过专用流体TSV通道注入DRAM芯片间隙，配合新增的热通孔（TTV）、电源通孔（TPV）等结构，构建三维散热网络。
更激进的HBM8架构计划将HBM直接堆叠在GPU芯片顶部，形成“芯片级算力核弹”，这对散热方案提出近乎苛刻的要求。
键合工艺与材料创新同步突破
除散热技术外，Teralab预测混合中介层将成为新的技术突破口。从HBM6开始，玻璃与硅的异质集成将替代传统硅中介层，这种材质组合既能保持信号传输性能，又可通过特殊键合工艺提升散热表面积。
产业格局或将重塑
目前，全球存储器巨头正加速布局散热技术。SK海力士已联合冷却设备厂商开发浸没式液冷模块，三星电子则在流体通道设计领域申请多项专利。随着HBM5商业化倒计时，这场散热技术革命或将改写全球HBM市场竞争格局——掌握核心散热方案的厂商，将在2029年后占据AI算力产业链的战略制高点。
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