【导读】2025年第二季度，全球存储芯片市场呈现罕见的价格分化趋势。在主流厂商加速转向DDR5及HBM等高端产品的背景下，成熟制程的DDR4/LPDDR4因供应锐减引发价格暴涨。据TrendForce数据，2025年1月至6月，8Gb DDR4颗粒价格飙升78.2%，8GB DDR4 RDIMM服务器内存涨幅达56%，LPDDR4X产品价格涨幅超60%。这一轮涨价潮中，三星电子凭借其成熟制程DRAM库存优势，成为最大受益者。
2025年第二季度，全球存储芯片市场呈现罕见的价格分化趋势。在主流厂商加速转向DDR5及HBM等高端产品的背景下，成熟制程的DDR4/LPDDR4因供应锐减引发价格暴涨。据TrendForce数据，2025年1月至6月，8Gb DDR4颗粒价格飙升78.2%，8GB DDR4 RDIMM服务器内存涨幅达56%，LPDDR4X产品价格涨幅超60%。这一轮涨价潮中，三星电子凭借其成熟制程DRAM库存优势，成为最大受益者。
供需失衡催生价格异动，三星库存消耗超预期
行业分析指出，DDR4涨价的核心驱动因素在于供需失衡。一方面，三星、SK海力士、美光等头部厂商自2024年起逐步将产能向DDR5及HBM转移，导致DDR4产能大幅收缩。例如，三星计划于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4生产，并将平泽P4厂资源倾斜至HBM3E及12nm DDR5量产。另一方面，工控、车用电子及服务器领域对DDR4的需求持续旺盛，尤其是AI服务器配套需求增长，进一步加剧供应紧张。
值得注意的是，三星DDR4库存消耗速度远超市场预期。2025年第一季度，三星通过调整产线策略，将成熟制程DRAM库存周转天数缩短至行业低位，同时受益于中国厂商因设备获取困难导致的产能扩张滞后，三星在利基市场获得额外溢价空间。
HBM业务疲软难掩存储业务整体回暖
尽管三星HBM业务因技术迭代滞后及地缘政治因素承压，但成熟制程DRAM的强劲表现有效对冲了风险。2025年第一季度，三星HBM3E量产延迟导致其市场份额被SK海力士侵蚀，叠加美国对华AI芯片出口管制影响，三星HBM营收环比大幅下滑。然而，随着DDR4涨价效应在第二季度显现，三星存储业务整体营收预期被上调。
行业格局演变：DDR5加速渗透，国产厂商迎机遇
从长期趋势看，DDR4逐步退出主流市场已成定局。2025年DDR5市场份额预计突破50%，其带宽较DDR4翻倍且功耗降低20%，适配AI PC、数据中心等高算力场景。但短期来看，工控市场认证周期长、成本敏感度高等因素，仍将为DDR4价格提供支撑。
对于国产存储厂商而言，这一轮价格波动带来结构性机遇。南亚科、华邦电等厂商通过提高DDR4供应比例，在2025年第二季度实现营收显著增长。
结语
2025年存储市场正经历技术迭代与供需博弈的双重变奏。三星电子凭借其在成熟制程领域的库存优势，成功抵消HBM业务疲软的影响，而DDR4价格的超预期上涨，也为行业格局演变注入新变量。
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