【导读】2025年第一季度，全球DRAM市场迎来重大格局变化。根据TrendForce数据，SK海力士凭借36%的市场份额首次超越三星电子（33.7%），终结了后者长期占据的龙头地位。这一转折背后，是三星电子面对利润压力与市场不确定性，主动选择了一条“减产保价”的转型之路。
2025年第一季度，全球DRAM市场迎来重大格局变化。根据TrendForce数据，SK海力士凭借36%的市场份额首次超越三星电子（33.7%），终结了后者长期占据的龙头地位。这一转折背后，是三星电子面对利润压力与市场不确定性，主动选择了一条“减产保价”的转型之路。
利润驱动下的产能收缩
三星电子的减产决策直接源于其DRAM业务盈利能力的急剧下滑。2025年第一季度，三星DRAM营收环比暴跌19%至91亿美元，营业利润同比锐减27.8%。分析指出，其HBM3e产品因设计改版导致高单价产品出货量骤减，叠加无法直接向中国市场销售HBM的限制，成为业绩失速的核心原因。
为应对困境，三星计划从2025年下半年起调整产能分配，重点转向利润率而非产量。据知情人士透露，三星将略微减少华城15号和16号生产线的晶圆投入量。这一策略与SK海力士形成鲜明对比：后者正通过清州M15X工厂新建生产线，计划第四季度量产12层堆叠HBM4，并预计2025年HBM销售额占比超50%。
市场不确定性与技术路线博弈
三星的谨慎态度源于对下半年市场的悲观预期。尽管TrendForce预测，随着PC OEM和智能手机厂商完成库存去化，第二季度DRAM需求将回升，但三星认为第三季度短暂反弹后，第四季度可能因供应过剩引发价格波动。这种不确定性促使三星选择“以稳为主”，避免因过度扩产导致价格战。
在技术路线层面，三星正加速推进1c DRAM（第六代10纳米级）量产。2025年5月，三星宣布该产品冷态良率达50%、热态良率突破70%，接近量产标准。值得关注的是，三星通过放宽周边电路线宽标准、扩大芯片尺寸等设计变更，成功解决此前良率瓶颈，为HBM4的商业化铺平道路。
行业竞争格局重塑
三星的减产策略正深刻改变DRAM市场竞争生态。SK海力士凭借HBM3e出货占比提升，成功抵御价格下跌压力，第一季度营收仅环比下滑7.1%。美光科技则通过扩大HBM3e出货量，实现营收环比增长2.7%。相比之下，三星在HBM领域的滞后使其陷入被动。
这一分化在资本市场得到印证：SK海力士2025年第一季度营业利润率高达42%，而三星DS部门营业利润仅为1.1万亿韩元。为扭转局面，三星计划将1c DRAM应用于HBM4，并通过平泽P4园区和华城工厂的双线布局，力争在2025年第三季度取得HBM用DDR的量产批准。
未来展望：结构性调整与高端化突围
尽管短期减产可能影响市场份额，但三星的战略重心已转向高端市场。随着AI服务器对HBM需求的持续增长，三星计划通过HBM4技术突破重塑竞争力。据Yole Group预测，HBM市场规模将从2024年的170亿美元飙升至2030年的980亿美元，年复合增长率达33%。
与此同时，三星需警惕中国厂商的崛起。长江存储、长鑫存储等本土厂商在NAND和DRAM领域的技术突破，正逐步侵蚀三星的传统市场。2024年中国存储芯片全球市场份额已从7%提升至12%，这一趋势或将倒逼三星加速高端化转型。
结语
三星电子的DRAM减产决策，本质是利润与规模、传统市场与高端赛道之间的战略取舍。在HBM需求爆发与地缘政治压力并存的2025年，三星选择以“控量保价”换取技术迭代窗口，其成败将取决于HBM4的商业化进度与高端市场的接受度。而SK海力士的扩产策略与HBM市场的高歌猛进，正为全球DRAM产业写下新的竞争注脚。
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