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存储封测市场急单潮起:DRAM/NAND合约价Q3看涨

发布时间:2025-05-20 责任编辑:lina

【导读】存储芯片市场正迎来结构性转折点。随着三星、SK海力士及美光等头部厂商将产能向AI服务器专用HBM芯片倾斜,叠加此前持续的减产策略,DRAM与NAND Flash供需格局悄然生变。行业分析师指出,2025年第二季度以来,传统存储产品供应链出现明显缺货信号,直接带动封测环节急单涌现。


存储芯片市场正迎来结构性转折点。随着三星、SK海力士及美光等头部厂商将产能向AI服务器专用HBM芯片倾斜,叠加此前持续的减产策略,DRAM与NAND Flash供需格局悄然生变。行业分析师指出,2025年第二季度以来,传统存储产品供应链出现明显缺货信号,直接带动封测环节急单涌现。


存储封测市场急单潮起:DRAM/NAND合约价Q3看涨


作为亚洲重要存储封测厂商,华泰电子近期产能利用率持续攀升。据其最新财报披露,4月合并营收达17.14亿元新台币,环比增长6.9%,同比增幅高达23.4%;前四月累计营收57.91亿元新台币,同比增长4.1%(数据来源:华泰电子公开财报)。公司透露,除中国台湾地区客户需求回升外,中国大陆存储模组厂订单亦呈现两位数增长,SSD电子制造服务(EMS)业务更成为增长新引擎。


市场观察人士分析,本轮急单潮主要由三大因素驱动:

1. HBM产能挤占效应:AI需求爆发促使厂商将先进制程产能向HBM3/HBM3E转移,导致常规DRAM及NAND Flash供给趋紧;

2. 关税政策窗口期:美国对华加征301条款关税仍处90天宽限期,系统厂商加速备货以规避成本上升风险;

3. 减产周期尾声:历经六个季度的产能调控后,存储原厂库存水位已降至健康区间,涨价预期推动客户提前建仓。


技术层面,华泰电子通过增设高精度固晶机与全自动测试分选机,将高端封装产能提升15%(公司公告)。其台湾新竹厂区已实现UFS 4.0及PCIe 5.0 SSD封装良率突破99%,中国大陆子公司则重点承接消费级存储模组封测需求。


展望第三季度,TrendForce集邦咨询预测DRAM合约价将上涨5-10%,NAND Flash涨幅可达8-13%。对于封测厂商而言,这波由供给结构调整引发的订单潮,既是短期业绩助推器,更是技术升级的窗口期。如何在HBM与传统存储封装间平衡产能,将成为决定企业盈利能力的关键。


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