【导读】2025年4月，存储巨头三星电子将正式关闭1z制程8Gb LPDDR4生产线，这标志着DDR4时代进入倒计时。据产业链透露，三星已向客户发出EOL通知，要求6月前确认最终订单，10月完成最后出货。此举不仅引发存储市场连锁反应，更揭示了全球存储产业向DDR5与HBM（高带宽内存）全面转型的技术革命。
2025年4月，存储巨头三星电子将正式关闭1z制程8Gb LPDDR4生产线，这标志着DDR4时代进入倒计时。据产业链透露，三星已向客户发出EOL通知，要求6月前确认最终订单，10月完成最后出货。此举不仅引发存储市场连锁反应，更揭示了全球存储产业向DDR5与HBM（高带宽内存）全面转型的技术革命。
产能腾挪背后的战略抉择
三星此次“砍单”直指利润重构——HBM3E毛利率超60%，是DDR4产品的3倍以上。随着英伟达GB200等AI服务器对HBM需求暴增，三星计划将HBM产能占比从25%提升至40%。与此同时，中国厂商长鑫存储、中国台湾南亚科持续扩产DDR4，导致该品类价格两年内暴跌45%，迫使三星断臂求生。集邦咨询数据显示，三星退出后，DDR4市场将出现30%的产能缺口，华邦电子、南亚科等厂商有望瓜分约18%的份额。
技术代际更迭的阵痛与机遇
存储市场正经历“冰火两重天”：DDR5渗透率预计在2025年突破50%，而HBM市场规模将以82%的年复合增长率狂飙；反观DDR4，尽管仍占据45%的DRAM出货量，但营收贡献率已萎缩至22%。这种结构性分化迫使厂商重新排兵布阵——美光已将DDR4产能削减30%，全力冲刺HBM3E量产；SK海力士则祭出36层堆叠HBM4技术路线图，试图建立技术代差。
中国台湾存储势力的“补位战”
在南亚科桃园厂区，工程师正在调试新一代1αnm DDR4制程，其成本较三星1z工艺降低15%。董事长吴嘉昭透露，已接到欧美工业客户急单，Q3产能利用率将拉升至85%。华邦电子高雄厂更启动“DDR4 Turbo”计划，通过封装技术创新将数据传输速率提升至4266Mbps，剑指车用存储市场。这两家台企的扩产节奏，或将决定全球中端存储市场的价格走势。
存储产业的“新战国时代”
三星的撤退撕开了市场裂缝：
价格博弈：DDR4现货价单周跳涨8%，但渠道库存仍高达8周
技术卡位：三星3D堆叠DDR5样品已实现8400Mbps速率，较JEDEC标准提升40%
地缘风险：美国拟对存储芯片加征15%关税，恐引发供应链二次迁移
TrendForce最新预测将2025年存储位元需求增长率从12.8%下调至4.8%，熊市预期下，这场由技术代际更迭引发的市场洗牌，正将存储产业推向新一轮战略重构的深水区。
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