【导读】国际局势动荡正引发存储产业链的“应激反应”。据TrendForce最新报告，受恐慌性备货驱动，第二季度DRAM与NAND Flash合约价涨幅较预期扩大3-5个百分点，其中服务器内存模组价格单季跳涨15%，创下2021年来最大涨幅。然而，这场看似火热的行情背后，暗藏产业链的集体焦虑——美系云服务商与有出口需求的OEM厂商正疯狂扫货，试图在潜在关税壁垒生效前锁定产能，但消费电子与零售渠道的疲软需求，恐使第三季市场提前进入“冰火两重天”模式。
国际局势动荡正引发存储产业链的“应激反应”。据TrendForce最新报告，受恐慌性备货驱动，第二季度DRAM与NAND Flash合约价涨幅较预期扩大3-5个百分点，其中服务器内存模组价格单季跳涨15%，创下2021年来最大涨幅。然而，这场看似火热的行情背后，暗藏产业链的集体焦虑——美系云服务商与有出口需求的OEM厂商正疯狂扫货，试图在潜在关税壁垒生效前锁定产能，但消费电子与零售渠道的疲软需求，恐使第三季市场提前进入“冰火两重天”模式。
备货潮的AB面：短期狂欢与长期隐忧
南亚科总经理李培瑛透露，若非美国关税政策扰动，本轮存储涨价幅度或再提升8-10个百分点。目前美系客户正利用90天关税缓冲期突击下单，推动DRAM现货价单周飙升12%。中国台湾存储模块厂创见直言，部分客户要求将下半年订单一次性提前至第二季交付，使其季度营收有望实现双位数增长。但这股“透支性”需求正扭曲市场信号：渠道库存周转天数从45天压缩至28天，而终端智能手机、PC出货量却未见明显回升，供需错配风险持续累积。
价格博弈论：第二季的“虚假繁荣”与第三季的“需求真空”
尽管第二季DRAM合约价涨幅超预期，但产业链上下游的博弈心态截然不同。原厂三星、SK海力士趁机缩减折扣幅度，将32Gb DDR5芯片报价拉升至4.8美元；模组厂则陷入“接单狂欢”与“库存噩梦”的矛盾——创见等企业虽短期营收看涨，却被迫承受“高价原料锁定、终端需求不明”的双重压力。更严峻的是，传统第三季旺季可能被提前透支，加之关税成本转嫁导致整机涨价5-8%，消费市场购买力恐进一步萎缩。
技术暗战：HBM与QLC NAND成避险筹码
为对冲市场波动风险，头部厂商正加速转向高附加值产品。美光已将HBM3E产能占比提升至35%，其36层堆叠技术可将AI服务器内存带宽推至1.2TB/s；三星则力推第9代V-NAND，通过双栈结构将QLC芯片密度提升40%。这些技术升级不仅缓解了同质化价格战，更吸引微软Azure等客户签订长约，将存储采购成本波动控制在±3%以内。
结语：存储产业的“压力测试”进行时
当恐慌性备货遭遇需求结构性分化，存储市场正在经历一场残酷的“压力测试”。第二季的涨价狂欢或许只是暴风雨前的宁静，如何平衡短期业绩与长期库存风险，将成为所有玩家的生死考题。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
英伟达登顶 vs SK海力士91%暴涨：半导体产业的两极狂想曲
存储芯片价格腰斩冲击波！联芸科技Q1惊现2400万亏损 全年盈利警报拉响
