【导读】传三星电子正在考虑解散旗下约400-500人组成的1c DRAM良率提升专项小组，将公司核心资源全面转向HBM4的年内量产任务。这一特别工作组成立于去年全永铉副董事长上任后，由存储业务部门的核心人员组成。
传三星电子正在考虑解散旗下约400-500人组成的1c DRAM良率提升专项小组，将公司核心资源全面转向HBM4的年内量产任务。这一特别工作组成立于去年全永铉副董事长上任后，由存储业务部门的核心人员组成。
这一战略调整反映了三星迫切希望在年内为英伟达量产HBM4的承诺，即使当前用于HBM4的1c DRAM在冷测试中良率仍未达到50%。
01 市场背景：HBM竞争白热化
当前，全球HBM市场竞争呈现白热化状态。2024年第二季度市场份额数据显示，SK海力士以62%的占有率位居第一，美光占21%，三星仅17%，首次跌至第三。
这一市场格局促使三星不得不采取更激进的策略。
SK海力士已于今年9月建立了全球首个HBM4量产系统，并采用相对成熟的1b DRAM作为其HBM4的“核心芯片”。
相比之下，三星选择了技术更先进但难度也更大的下一代1c DRAM，希望在性能上实现反超。
02 技术抉择：1c与1b的工艺差异
在DRAM制程技术上，10纳米级发展顺序为：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）和1b（第五代）。
1c纳米工艺作为第六代技术，随着线宽进一步变窄，工艺难度呈指数级增长。
三星采用1c DRAM作为HBM4的核心芯片，理论上可以生产出更快、更节能的产品，但这一技术路径面临严峻的良率挑战。
据报道，三星电子目前正在开发的HBM4用1c DRAM在冷测试中未能达到50%的良率。
而要想达到通常被认为是量产标准的60%的良率并开始内部量产审批工艺，还需要相当长的时间。
03 战略转向：解散团队专注HBM4
面对技术挑战和市场压力，三星电子管理层正在考虑解散致力于提升1c DRAM良率的特别工作组，直接将核心人力与资源全面转向HBM4量产。
这一决定意味着三星改变了原本的技术路线图。
三星原计划在第三季度完成HBM4 1c DRAM的PRA流程。
但最新报道称，公司已跳过这一流程，直接着手建立HBM4的量产体系。
一位熟悉该公司的消息人士解释：“三星电子管理层认为，如果他们能够在DRAM良率较低的情况下，提供比竞争对手更好的HBM4性能，他们就能改变目前由SK海力士主导的市场格局”。
04 良率进展：矛盾信息与实际情况
关于三星1c DRAM良率情况，近期市场传出相互矛盾的信息。
10月15日，有报道称三星HBM4用1c DRAM在冷测试中未能达到50%的良率。
然而，仅几天后，10月17日又有韩媒报道，三星电子近期1c DRAM良率已提升至约70%，距离公司内部设定的80%以上目标仅一步之遥。
多位业内人士透露，三星已“大幅改善1c DRAM的制程稳定性”，公司内部对该产品的量产表现“充满信心”。
05 量产布局：平泽P4工厂的关键角色
在量产布局上，三星位于平泽的第4座半导体工厂将扮演关键角色。
该工厂目前正在安装先进设备，将成为主要的1c DRAM生产基地，整体工程已进入最后阶段。
同时，三星正在加速部署High-NA EUV光刻机，以扩大DRAM产能。
这一举措将加剧与SK海力士的竞争。
据半导体业界消息，随着1c DRAM良率稳定，三星HBM4样品良率已达约50%。
公司正与英伟达合作进行性能测试与评估，预计在获得量产批准后，将立即投入正式生产。
06 行业观点：期待与担忧并存
业界对三星电子解散其专门的DRAM良率提升团队的举动既期待又担忧。
如果三星电子能够迅速加入英伟达的HBM4供应链，这一决定或许堪称神来之笔。
一位熟悉该公司的消息人士解释说：“三星电子管理层抱有很高的期望，他们认为，如果能够在 DRAM 良率较低的情况下，实现比竞争对手更好的 HBM4 性能，就能改变 SK 海力士目前占据主导地位的市场格局”。
但也有业内人士指出：“管理层只注重进入英伟达供应链，而忽视良率提升的策略，很容易导致盈利能力和市场竞争力的丧失”。
三星电子在HBM4上的战略调整，折射出其在全球存储市场竞争中的焦虑与野心。
通过解散专项小组、跳过内部审批流程，三星正以非常规手段追赶领先的SK海力士。
HBM4之争不仅关乎市场份额，更将决定未来AI时代存储领域的格局划分。
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