【导读】据Counterpoint Research最新数据，2025年第一季度SK海力士以36%的销售额份额超越三星电子（34%），首次问鼎全球DRAM市场（数据来源：Counterpoint，2025.05）。这一历史性突破背后，是HBM高带宽内存与CXL接口技术双轮驱动的战略胜利。
据Counterpoint Research最新数据，2025年第一季度SK海力士以36%的销售额份额超越三星电子（34%），首次问鼎全球DRAM市场（数据来源：Counterpoint，2025.05）。这一历史性突破背后，是HBM高带宽内存与CXL接口技术双轮驱动的战略胜利。
技术溢价重构竞争格局
不同于三星电子依赖通用DRAM的规模优势，SK海力士将战略重心聚焦高附加值领域。公司HBM产品贡献率已达DRAM业务总营收的42%，其中HBM3E系列凭借12层堆叠技术占据AI服务器市场67%份额（SK海力士财报，2025.Q1）。当行业平均DRAM价格同比下滑7%时，SK海力士通过技术溢价实现ASP（平均售价）逆势增长19%。
CXL商业化催生新战场
在下一代内存架构CXL领域，SK海力士与三星展开贴身竞速。三星虽率先完成128GB CXL DRAM客户认证，但SK海力士96GB模组已获三家北美云服务商批量部署（IDC，2025.Q1）。值得注意的是，CXL市场正以年复合142%的速度扩张，其池化内存架构可提升数据中心利用率3.8倍，预计2026年市场规模将突破87亿美元（Gartner预测）。
战略分野决定未来格局
三星电子仍保持整体内存业务优势（Q1总营收19.1万亿韩元），但DRAM专项被反超暴露产品组合隐忧。反观SK海力士，其CXL+HBM协同战略正形成技术壁垒：HBM解决AI算力瓶颈，CXL破解内存墙难题。英特尔至强6处理器全系集成CXL 2.0接口，AMD EPYC 9005系列更将CXL带宽提升至256GB/s，硬件生态成熟加速技术普及。
行业研判：内存市场进入技术驱动新周期
分析师指出，传统DRAM市场已触及增长天花板，未来五年增量将主要来自AI加速器（HBM）与数据中心现代化（CXL）。SK海力士计划2026年量产36GB HBM4芯片，并联合英特尔开发CXL 3.0内存扩展方案。这场由技术溢价主导的内存革命，或将彻底改写半导体行业座次。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
3nm产能满载！台积电前四月营收突破1.1万亿同比增长43.5%创历史新高
XR显示技术格局生变！2025年全球XR显示器出货量预计增长6%
