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威刚发布集成主控与NAND闪存的工业级IEM5141A eMMC
威刚（ADATA）其实在电力传动和工业解决方案上也有相当深厚的积淀。比如今日，该公司就推出了面向工业和互联网应用的 IEM5141A 嵌入式存储解决方案。其符合 JEDEC 的 eMMC 5.1 HS400 标准，具有低功耗的优化性能，可实现 300 和 170 MB/s 的顺序读写。
Kioxia和西部数据推出第六代162层3D闪存技术
Kioxia（铠侠）和西部数据今天宣布，双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。
Swissbit 推出全新的 3D-NAND SATA III 产品X-86m2 和 F-86
Swissbit为其工业级存储器产品线添加了两个SATA III接口的新产品系列。超小型M.2 2242尺寸的X-86m2系列和CFast™存储卡F-86具有强劲的性能，特别适用于作为稳健的引导和应用程序驱动器，并且加入了Swissbit的独家功能。
Swissbit推出使用e.MMC-5.1标准接口的工业级3D-NAND
Swissbit推出了使用e.MMC-5.1标准接口的EM-30设备，扩充了该公司小型存储解决方案产品线。该BGA封装将先进的控制器与工业级3D-NAND和固件结合在了一起，适用于最严苛的应用。EM-30的容量从16GB到256GB不等，与以前的2D-NAND解决方案相比，可节省大量成本。
美光推出全球首款 176 层 NAND 移动解决方案，助力 5G 超快体验
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. 宣布，公司已开始批量出货全球首款基于 176 层 NAND 技术的通用闪存 UFS 3.1 移动解决方案。
兆易创新 GD5F 全系列 SPI NAND Flash 通过 AEC-Q100 车规级认证
兆易创新宣布，旗下全国产化 38nm SPI NAND Flash——GD5F 全系列已通过 AEC-Q100 车规级认证。
英飞凌发布SEMPER NOR Flash闪存系列产品的全新开发工具——解决方案中心
近日，英飞凌科技股份公司发布了针对屡获殊荣的SEMPER™ NOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站，SEMPER解决方案中心涵盖能够将SEMPER NOR Flash集成到应用中所需的所有构件，可助力开发人员快速设计出安全关键型汽车、工业和通信系统，从根本上确保安全性。
三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb
作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品
SK海力士（或‘公司’）20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
研华科技发布工业准系统 EPC-R7300助力产品开发
2023年，工业嵌入式AI解决方案供应商研华科技发布工业准系统 EPC-R7300，该产品适用于NVIDIA®Jetson Orin™NX及JetsonOrin™Nano模块。利用强大的NVIDIA Jetson Orin模块，EPC-R7300将以低功耗（7~25瓦）输出20-100TOPS的AI性能。为了便于AI部署，EPC-R7300采用了非常紧凑的外形（152×173×50 mm），具有多种后置I/O配置，其出色的柔性和计算性能为下一代机器人、监控和其它使用边缘推理的应用提供了保障。
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存
SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。
美光推出性能更出色的大容量高带宽内存 (HBM)助力生成式人工智能创新
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，公司已开始出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，其带宽超过1.2TB/s，引脚速率超过9.2Gb/s，比当前市面上现有的HBM3解决方案性能可提升最高50%。美光第二代HBM3产品与前一代产品相比，每瓦性能提高2.5倍，创下了关键型人工智能（AI）数据中心性能、容量和能效指标的新纪录，将助力业界缩短大型语言模型（如GPT-4及更高版本）的训练时间，为AI推理提供高效的基础设施，并降低总体拥
美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升
美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片已进入样品阶段。随着生成式人工智能模型变得越来越普遍，设计人员必须克服人工智能内存在效率、成本和性能瓶颈。与传统内存解决方案相比，第二代 HBM3 具有独特的优势，因此可以解决其中一些痛点。
SK海力士发布321层4D NAND Flash闪存样品，性能提升59%！
SK海力士于8月8日宣布，借助其最新发布的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品，使其正式成为业界第一家完成300层以上堆叠NAND Flash闪存开发的公司。
研华推出首款采用英特尔Arc显卡的工业级GPU卡
全球智能物联网系统和嵌入式平台提供商研华科技公布与英特尔合作采用Intel Arc显卡开发的工业级GPU图形解决方案。此次合作旨在满足市场对GPU和视觉AI性能日益增长的需求，同时开发一个更开放的AI生态系统，提供各种产品。包括研华VEGA-P110，一个PCIe GPU卡；以及研华 VEGA-X110，一个MXM Type A 3.1 GPU卡 两款规格均采用Intel ARC A730M GPU；该产品线可提供优秀的性能和价格，同时在医学成像、游戏和工厂自动化应用中增强了图像处理和边缘AI加速功能。
