【导读】安森美(onsemi)，随着数据中心为了满足人工智能计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。
最新的功率半导体技术可实现大幅节能，功耗降低达 10 太瓦
2024年6月6日 - 安森美(onsemi)，随着数据中心为了满足人工智能计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。
与一般的搜索引擎请求相比，搭载人工智能的引擎需要消耗超过10倍的电力，预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1,000太瓦时（TWh）[ 国际能源署《电力2024》报告]。从电网到处理器，电力需要经过四次转换来为人工智能请求的处理提供电能，这可能导致约12%的电力损耗。通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量[ 依据美国能源信息管理局的年度家庭用电量数据]。
EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。
另外，T10 PowerTrench 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的 Qrr 有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。T10 PowerTrench 系列还符合汽车应用所需的严格标准。
该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架 V3 (ORV3) 基本规范，支持下一代大功率处理器。
"人工智能和电气化正在重塑我们的世界，并使电力需求激增。加快功率半导体的创新以改善能效是实现这些技术大趋势的关键，这也正是安森美负责任地为未来赋能的方式。"安森美电源方案分部总裁Simon Keeton表示，“我们的最新解决方案可以显著降低能量转换过程中的功率损耗，将对下一代数据中心的需求产生积极的影响。
更多信息：
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T10 PowerTrench 系列
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EliteSiC 650V MOSFET
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安森美AI 数据中心解决方案指南
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安森美 产品推荐工具
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利用 Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具进行仿真
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