【导读】全球领先的功率系统和物联网半导体制造商英飞凌科技（Infineon Technologies）近日推出专为AI数据中心和服务器设计的12kW高性能电源参考设计。该方案创新性地融合硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料，采用三电平飞跨电容交错式PFC拓扑和全桥LLC谐振转换技术，实现了前端AC/DC峰值效率超99% 和后端DC/DC峰值效率超98.5% 的卓越表现，功率密度高达113 W/in³。这款参考设计旨在解决AI计算带来的指数级增长能耗挑战，为数据中心提供更高效率、更高功率密度的电源解决方案。
全球领先的功率系统和物联网半导体制造商英飞凌科技（Infineon Technologies）近日推出专为AI数据中心和服务器设计的12kW高性能电源参考设计。该方案创新性地融合硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料，采用三电平飞跨电容交错式PFC拓扑和全桥LLC谐振转换技术，实现了前端AC/DC峰值效率超99% 和后端DC/DC峰值效率超98.5% 的卓越表现，功率密度高达113 W/in³。这款参考设计旨在解决AI计算带来的指数级增长能耗挑战，为数据中心提供更高效率、更高功率密度的电源解决方案。
一、技术难点与应对方案
高频高速开关与热管理挑战：传统硅基器件在高频开关下损耗大幅增加，热管理成为瓶颈。英飞凌采用CoolSiC™和CoolGaN™宽禁带半导体技术，SiC器件在高压场景下开关频率达100kHz（相比Si IGBT的20kHz），损耗降低40%；GaN器件在高频下效率超过99%，显著降低开关损耗和热管理压力。
功率密度与效率平衡难题：高功率密度往往牺牲效率，反之亦然。通过创新的三电平飞跨电容交错PFC拓扑和全桥LLC谐振架构，结合平面高频变压器技术，在提升功率密度的同时保持超高效率，功率密度从传统设计的32 W/in³提升至113 W/in³，效率达97.5%。
电网波动与稳定性问题：数据中心对电源稳定性要求极高。集成双向能量缓冲器，不仅满足保持时间要求，降低电容需求，还具备电网调节功能，抑制电网瞬态波动和跌落干扰，提高系统可靠性。
二、核心作用
该电源参考设计作为AI数据中心的"动力心脏"，为核心计算硬件（特别是功耗日益增长的GPU）提供高效、稳定、清洁的电力供应。其核心价值在于显著降低数据中心的能源消耗和运营成本，同时通过高功率密度设计减少电源系统占地面积，使数据中心能够将更多空间和电力资源用于计算本身，直接支持AI训练和推理任务的高效运行。
三、产品关键竞争力
●多材料技术融合：协同优化硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料优势，实现最佳性能组合
●卓越能效表现：整机效率达97.5%，远超传统85%-90%的水平，大幅降低能耗
●超高功率密度：113 W/in³的功率密度支持更小体积设计，相比传统方案尺寸缩小50%
●智能电网交互：集成双向能量缓冲器，提供电网调节功能，增强系统稳定性
●全面热管理：优化的热设计降低散热需求，冷却能耗节约约20%
四、同类竞品对比
表格分析
从对比数据可以看出，英飞凌12kW PSU在输出功率、功率密度和技术集成度方面显著领先。其97.5%的整机效率远超传统解决方案，113 W/in³的功率密度更是达到了行业领先水平。独特的三材料集成方案（Si+SiC+GaN）和创新的拓扑结构使其在高性能计算领域具有明显优势，特别适合应对AI工作负载的严苛要求。
五、实际应用场景
●AI训练集群：为NVIDIA Blackwell等高性能GPU提供稳定电力支持，满足2000-3000A的高电流需求
●超大规模数据中心：支持300kW+的高密度机架部署，显著降低PUE值
●云计算基础设施：为公有云和私有云平台提供高效可靠的电源解决方案
●边缘计算节点：紧凑设计适合空间受限的边缘部署场景
●高性能计算中心：支持科学研究、天气预报等计算密集型应用
六、产品供货情况
该参考设计目前已向关键客户提供技术资料和设计支持，帮助客户加速产品开发进程。英飞凌拥有成熟的供应链体系（SiC晶圆>10万片/年，GaN>5万片/年），能够支持2025年预计超过50万套PSU的大规模量产需求。公司预计其AI电源业务2025财年收入将超5亿欧元，2027年达10亿欧元。
结语
英飞凌12kW高功率密度电源参考设计的推出，代表了数据中心电源技术的一次重大飞跃。通过巧妙融合硅、碳化硅和氮化镓三种半导体技术的优势，并结合创新的拓扑结构和智能电源管理，该方案有效解决了AI数据中心面临的高能耗、高密度和高可靠性挑战。随着AI计算需求的持续增长，此类高效、紧凑的电源解决方案将成为数据中心不可或缺的基础设施，为数字世界的可持续发展提供动力保障。
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