【导读】近期，三星电子在先进半导体技术领域释放出积极信号，尤其对其2纳米全环绕栅极（GAA）制程的进展表现出高度乐观。在由韩国总统办公室政策首席秘书金容范主持的一次高级别半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长宋在赫对这一技术节点给予了极高评价，标志着公司在经历数年市场表现疲软后，正迎来关键的技术转折点。

过去几年，三星的晶圆代工业务始终未能实现突破性进展，市场份额持续被行业龙头台积电大幅挤压。然而，随着2纳米GAA制程的研发推进，公司内部信心显著提升。据最新报告披露，三星已将2纳米GAA制程的良率目标从原先设定的50%大幅上调至70%，并计划于2025年底前实现这一雄心勃勃的目标。这一调整不仅反映了技术团队在工艺稳定性和材料创新方面的实质性突破，也显示出三星对下一代制程量产能力的强烈信心。

一位接近三星高层的知情人士透露，宋在赫在会议中的发言明确传递出公司正按计划推进2纳米制程的各项关键指标，包括良率与芯片性能。他进一步指出，三星的长期战略是依托2纳米GAA节点的成功，逐步扭转当前在晶圆代工领域的被动局面，并最终挑战台积电的全球霸主地位，争夺市场份额第一的宝座。

值得注意的是，宋在赫也坦承，在追赶台积电的过程中，三星仍面临严峻的技术瓶颈与高端人才短缺问题。他特别强调，要实现这一宏大的产业目标，离不开韩国政府在政策、资金及产业链协同方面的持续强力支持，包括税收优惠、研发补贴以及与国际先进技术机构的合作推动。

在应用层面，三星首款采用2纳米GAA制程的芯片——自研的Exynos 2600已进入内部测试阶段。初步测试数据显示，其性能表现卓越，不仅超越了苹果的A19 Pro芯片，也在多项指标上领先于高通第五代骁龙8至尊版。这一成果若能在量产中得以保持，将极大增强三星在高端移动处理器市场的竞争力，并为公司代工业务吸引更多外部客户订单。

业界观察家认为，若三星能如期实现2纳米GAA制程的高良率与高性能目标，全球晶圆代工市场的竞争格局或将迎来新一轮洗牌。不过，技术从实验室走向大规模量产仍存在诸多不确定性，三星能否借此契机真正缩小与台积电的差距，尚需时间检验。