其它场效应管产品导购分类—电子元件技术网采购中心

凌力尔特推出首款多拓扑同步 DC/DC 控制器

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2014 年 1 月 28 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出首款同步 SEPIC、负输出、升压和反激式多拓扑 DC/DC 控制器 LT8710。这款同步器件采用高效率 P 沟道 MOSFET 取代输出二极管，从而提高了效率和最大输出电流 (高达 10A)，并无需中到高功率应用通常所需的散热器，使 LT8710 成为非常通用的器件以适合多种电源设计。

英特锡尔推出高性能36 v四精度低功耗运算放大器

近日，英特锡尔推出高性能36 v四精度低功耗运算放大器。这款放大器适合于过滤器，医疗分析仪器，精密电源控制等。

美高森美推出高性能SmartFusion2 SoC FPGA双轴电机控制套件

美高森美(Microsemi) 宣布提供带有模块化电机控制IP集和参考设计的SmartFusion2™ SoC FPGA双轴电机控制套件。IP 集和参考设计简化电机控制设计，并且提供 30,000 RPM性能。

英飞凌新一代汽车功率场效应管率先采用300毫米薄晶圆工艺完成

英飞凌新一代汽车功率场效应管率先采用300毫米薄晶圆工艺完成。第一个产品系列 OptiMOS™ 5 40V针对二氧化碳减排应用进行了优化。产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫的晶圆厂生产。

大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

恩智浦推出使用碳化硅基GaN晶体管

恩智浦半导体今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的首个射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的高效率，以2.45 GHz超越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。

贸泽开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET

2022年4月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET，为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。