【导读】Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年 12 月的时候，其已发布了首批预生产样品。新 MRAM 器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的 28nm 工艺制造，与当前的 40nm 256Mb 器件相比，其在密度和容量方面有了重大的进步。预计今年下半年的时候，其产能会开始增加。
Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM(自旋转移力矩磁阻)非易失性随机存取器。去年 12 月的时候，其已发布了首批预生产样品。新 MRAM 器件采用格罗方德(GlobalFoundries)的 28nm 工艺制造，与当前的 40nm 256Mb 器件相比，其在密度和容量方面有了重大的进步。预计今年下半年的时候，其产能会开始增加。
(题图 via AnandTech)
新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s(667MHz)接口，但与较旧的基于 DDR3 的 MRAM 组件一样，时序上的差异使得其难以成为 DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。
低容量的特性，使得 MRAM 组件更适用于嵌入式系统，其中 SoC 和 ASIC 可更容易地设计兼容的 DDR 控制器。
据悉，最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 扩大了 MRAM 的吸引力，但 Everspin 仍需努力追赶 DRAM 的存储密度。
当然，我们并不指望 MRAM 专用存储设备可以迅速在市面上普及(SSD 或 NVDIMM)。毕竟市面上的混合型 SSD，仍依赖于 NAND 闪存作为主要存储介质。
目前行业内已通过 MRAM 来部分替代 DRAM，比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模块，以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。
需要指出的是，尽管 Everspin 不是唯一一家致力于 MRAM 技术的公司，但它们却是分立式 MRAM 器件的唯一供应商。
作为与格罗方德合作生产的第二款分立型 MRAM 器件，他们还在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工艺路线图中嵌入了 MRAM 。
鉴于该工厂取消了 7nm 和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。
