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2019年半导体产值可望达5000亿美元

发布时间:2018-01-08 来源:半导体 责任编辑:lina

【导读】据国际半导体产业协会最新指出,2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关,而2018年仍会是乐观成长的一年,预估半导体产值将成长4%-8%,且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口。
 
  
国际半导体产业协会(SEMI)台湾区产业研究资深经理曾瑞榆表示,2017年是全球半导体产值破纪录的一年,年成长率达20%,主因是存储器强劲成长的带动,其中,DRAM产值年成长75%、储存型闪存产值(NANDFlash)年成长45%、其他IC产值年成长9%。
  
三星、海力士、美光扩产,今年DRAM产能成长挑战10%
  
DRAM和NANDFlash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手,尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中,受DRAM涨价潮带动功不可没。据SEMI预估,在三星电子、SK海力士持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能成长10%,这会是较大的成长,然终端需求也急起直追,估计到2021年,DRAM年成长率上看30%。三星电子(Samsung)在大中华区的授权分销商包括:泰科源、深圳升邦电子、深圳市万瑞尔、爱施得、昆山锦腾贸易、成都欣诺通讯科技、深圳市科辉特电子等。SK海力士(SK Hynix)在大中华区的授权分销商有:超联科技集团、深圳升邦电子、深扬电子(深圳)、深圳市茂凯科技等。欢迎登录www.cedachina.org查看授权分销商目录或联系CEDA秘书处对接授权分销商渠道得到可靠的货源。
  
观察全球DRAM产业三大阵营三星、海力士、美光,其中三星、SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速,包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1厂房和Line15生产线,以及SK海力士的M14生产线;另外,美光在广岛的Fab15和Fab16也有DRAM扩产计划,但目前扩产的主力仍是在韩系两大厂商。
  
除了DRAM产业扩产外,针对NAND产业,目前有扩产计划的业者包括三星平泽厂、SK海力士的M14生产线、美光Lehi和新加坡Fab10X、东芝Fab2/Fab6,以及英特尔大连厂(Fab68)等。Intel (英特尔)在大中华区的授权分销商有:Avnet,Arrow,大联大,Mouser等。
  
SEMI估计,2017年DRAM厂设备支出约130亿美元,较2016一年成长了一倍,预计2018年持续成长至140亿美元水准;2017年NAND产业设备支出约190亿美元,较2016年100亿美元有飞跃式成长,预计2018年NAND产业设备支出上看200亿美元。
  
事实上,无论是DRAM和NAND阵营对于扩增产能都满怀信心,但不要忽略,在物联网、AI、汽车电子和消费类电子的应用驱动下,需求端也是呈现井喷式发展态势。2017年半导体的主要成长来源是DRAM、NAND、传感器、光电和分离式元件,预期这些应用今年仍会持续驱动产业成长,另外,无线、车用与消费类电子产品等应用需求也将进一步成长。
  
半导体产业“三高”气势旺,国产化优势逐步显现
  
在2017年全球半导体产值突破4,000美元大关中,3DNAND大厂、DRAM原厂、晶圆代工厂三路人马均在扩产抢占市场,这也激发出半导体设备材料产业难得一见的巨大商机,面对2018年,整个全球半导体产业将会出现前所未见的欣欣向荣局面。
  
“六大3DNAND厂、三大DRAM阵营、两岸晶圆代工厂扩产,带动2017年晶圆厂设备投资相关支出达570亿美元,创下历史新高记录。”国际半导体产业协会SEMI预测,2018年晶圆厂设备投资相关支出更会达到630亿美元,再度攀上高峰!
  
除了全球半导体产值和半导体设备投资创新高外,2017年硅晶圆出货量也出现新高。此即为2017年半导体产业“三高”,分别是产值销售金额创新高、设备支出创新高、硅晶圆出货量创新高。
  
综观3DNAND、DRAM、晶圆代工三大阵营的扩产现况,在3DNAND产业方面,计划扩产的有三星平泽厂、SK海力士的M14生产线、美光Lehi和新加坡Fab10X、东芝Fab2/Fab6,以及英特尔大连厂(Fab68)等;在DRAM产业方面,则有三星平泽P1厂房和Line15生产线、SK海力士M14生产线、美光广岛的Fab15和Fab16。
  
根据SEMI统计,2018年DRAM产能增加幅度上看10%;3DNAND产能成长幅度高达48%;晶圆代工达5%。
  
在晶圆代工产业方面,有12寸厂的扩产计划的包括台积电冲刺7纳米和5纳米制程的Fab12/14/15晶圆厂;三星的S2和S3;GlobalFoundries的Fab1/8/11;中芯国际的北京厂B2、上海新厂、深圳新厂、联电的Fab12AP5和厦门厂。
  
受此建厂狂潮,最大受益者莫过于半导体机台设备商,尤其是3DNAND产业和20纳米以下制程技术大量使用蚀刻机台,其次是CVD机台,相关设备商会最先受惠。
  
而在全球各地的设备支出金额方面,2017年韩国受惠三星、SK海力士大力扩产DRAM产能,韩国以180亿美元取代台湾跃升为全球最大的支出市场,其次是台湾的126亿美元;此外,SEMI预计,2018年韩国将持续以169亿美元稳居第一,而中国大陆可能取代台湾,成为全球第二大设备支出市场。
  
另值得注意的是,2018年中国半导体设备材料支出的后劲将会逐步显现。由于2018年中国大陆受惠许多去年完工的晶圆厂可望进入设备装机阶段,因此中国支出金额会有较大成长。但与过去不同的是,过去大陆的晶圆厂投资大多来自外来厂商,而在2018年大陆本土晶圆厂设备支出金额将首次赶上外来厂商水准,包括长江存储、福建晋华、华力微电子、合肥长鑫等许多新进业者都计划在中国大陆大举投资设厂的计划,并且建置,产业格局将逐步改变。
 
 
 
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