【导读】市场研究机构TrendForce发布最新研究报告称，虽然受中国手机业者去化库存和陆系DRAM供应商扩产，以及三大DRAM原厂的LPDDR4及DDR4出货量下降影响，但供应数据中心的DDR5及HBM需求上升，推动今年第三季DRAM营收环比增长13.6%至260.2亿美元。
11月26日消息，市场研究机构TrendForce发布最新研究报告称，虽然受中国手机业者去化库存和陆系DRAM供应商扩产，以及三大DRAM原厂的LPDDR4及DDR4出货量下降影响，但供应数据中心的DDR5及HBM需求上升，推动今年第三季DRAM营收环比增长13.6%至260.2亿美元。
在三季度的DRAM平均售价方面，三星、SK海力士、美光着三大DRAM原厂仍延续了二季度上涨的态势，加上HBM持续排挤整体DRAM产能，使得合约价第三季达成8%~13%涨幅。
分析今年第三季DRAM产业营收，受服务器及PC DRAM合约价上涨带动，三大DRAM业者营收皆持续环比增长。其中，三星DRAM营收为107亿美元，环比增长9%，排名维持第一。策略性出清LPDDR4及DDR4库存，造成第三季位出货量与上季持平。
SK海力士第三季DRAM营收环比增长13.1%至89.5亿美元，排名第二。DRAM位元出货量环比下滑1%~3%，反映即使HBM3e出货扩大放量，仍无法抵销LPDDR4及DDR4出货萎缩。
美光第三季DRAM营收为57.8亿美元，环比增幅度高达28.3%。其服务器DRAM及HBM3e出货增加，推升位元出货量环比增长约13%。
TrendForce表示，第三季台系DRAM供应商营收皆呈季减，大幅落后三大业者。南亚科技因一般型DRAM终端销售动能转弱，和陆系供应商DDR4市场竞争，出货量环比下滑逾20%。第三季营业利润率自-23.4%恶化至-30.8%，也反映出此前停电造成的损失。
华邦电子第三季出货量同样因一般型DRAM需求转弱而较上季减少，营收也环比减少8.6%，下降至1.54亿美元。力积电DRAM营收若只计算自家生产一般型DRAM产品，呈环比下滑27.6%；若加计代工营收环比增长18%，反映代工客户补库存需求仍有延续。
展望2024年第四季，TrendForce预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格因HBM排挤产能效应可能较预期弱，以及陆系供应商扩产驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，一般型DRAM（conventional DRAM）合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都下跌。
值得一提的是，《日经新闻》的最新报道也显示，虽然AI服务器需求持续强劲，但是由于PC市场需求疲软，拖累了DRAM价格在9月和10月连两个月下跌。
报道称，DRAM需求约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。今年10月，指标性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格）为每个1.98美元左右，容量较小4Gb产品价格1.52美元，皆较9月下跌3%，这也是连第二个月下跌。DRAM批发价格为內存厂商和客户间每个月或每季敲定一次。
韩国三星电子、SK海力士及美国美光（Micron）为全球前三大DRAM厂，英国调查公司Omdia指出，中国市场营收（2023年实绩）占上述三大厂营收比重分别为27%、30%、17%。
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