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SRAM
业界首款20nm 产品：UltraScale器件开始发货
Xilinx推出业界首款20nm All Programmable产品UltraScale，UltraScale器件采用业界独一无二的ASIC级可编程架构，以及ASIC增强型Vivado 设计套件和近期推出的UltraFast 设计方法，可提供媲美ASIC级的性能优势。UltraScale器件能够为客户实现1.5倍到2倍的系统级性能和集成度，相当于领先竞争对手整整一代。
赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高容量同步SRAM
赛普拉斯推出最高容量并具有片上错误校正码（ECC）的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的数据可靠性，简化多种军用、通讯和数据处理应用的设计。赛普拉斯今年计划扩充具备ECC功能的同步SRAM产品线，增加其他容量的产品。
高可靠性：瑞萨电子新款16Mb/32Mb超低功耗SRAM出色地延长电池寿命
近日，瑞萨电子推出两款全新超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——16Mb RMLV1616A系列以及32 Mb RMWV3216A系列，为工厂自动化（FA）、智能电网、工业设备等应用提供更为出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。
赛普拉斯新款1Mb nvSRAM带四个SPI，可超越更大尺寸并行接口器件的数据吞吐量
近日，赛普拉斯半导体宣布，推出1Mb非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）。新器件具备四个串行外设接口（SPI），使得其可在尺寸更小的情况下，超越尺寸更大的并行接口器件的数据吞吐量。新器件可为RAID存储设备、工业自动化、计算和网络应用在掉电时，无需电池即可保存大吞吐量的数据。
富士通全新FRAM带有高速QSPI接口，并具有4 Mbit记忆容量
富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM（铁电随机存取内存）产品MB85RQ4ML，此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度，并开始以样品量供货。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性，因此特别适用于网络建置、RAID控制器及工业运算等领域。
富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品
富士通电子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出业内最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(注2)合作开发，将于今年9月开始供货。
英飞凌推出第二代非易失性静态SRAM，可支持非易失性代码存储和数据记录应用
英飞凌科技公司日前宣布推出第二代非易失性静态SRAM（nvSRAM）。这款新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格认证，可支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航空航天和工业应用。
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线
卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着联网设备的数量及其产生的数据量不断增长，这一点变得愈发重要。为满足太空应用中的这些高性能计算需求，英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飞凌专利技术RADSTOP™设计的最新抗辐射（rad hard）异步静态随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计。
