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业界首款20nm 产品:UltraScale器件开始发货

业界首款20nm 产品:UltraScale器件开始发货

Xilinx推出业界首款20nm All Programmable产品UltraScale,UltraScale器件采用业界独一无二的ASIC级可编程架构,以及ASIC增强型Vivado 设计套件和近期推出的UltraFast 设计方法,可提供媲美ASIC级的性能优势。UltraScale器件能够为客户实现1.5倍到2倍的系统级性能和集成度,相当于领先竞争对手整整一代。

赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高容量同步SRAM

赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高容量同步SRAM

赛普拉斯推出最高容量并具有片上错误校正码(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能,使之可以提供最高水平的数据可靠性,简化多种军用、通讯和数据处理应用的设计。赛普拉斯今年计划扩充具备ECC功能的同步SRAM产品线,增加其他容量的产品。

高可靠性:瑞萨电子新款16Mb/32Mb超低功耗SRAM出色地延长电池寿命

高可靠性:瑞萨电子新款16Mb/32Mb超低功耗SRAM出色地延长电池寿命

近日,瑞萨电子推出两款全新超低功耗SRAM(超LP SRAM)系列——16Mb RMLV1616A系列以及32 Mb RMWV3216A系列,为工厂自动化(FA)、智能电网、工业设备等应用提供更为出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。

赛普拉斯新款1Mb nvSRAM带四个SPI,可超越更大尺寸并行接口器件的数据吞吐量

赛普拉斯新款1Mb nvSRAM带四个SPI,可超越更大尺寸并行接口器件的数据吞吐量

近日,赛普拉斯半导体宣布,推出1Mb非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。新器件具备四个串行外设接口(SPI),使得其可在尺寸更小的情况下,超越尺寸更大的并行接口器件的数据吞吐量。新器件可为RAID存储设备、工业自动化、计算和网络应用在掉电时,无需电池即可保存大吞吐量的数据。

富士通全新FRAM带有高速QSPI接口,并具有4 Mbit记忆容量

富士通全新FRAM带有高速QSPI接口,并具有4 Mbit记忆容量

富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM(铁电随机存取内存)产品MB85RQ4ML,此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度,并开始以样品量供货。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性,因此特别适用于网络建置、RAID控制器及工业运算等领域。

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