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赛普拉斯新款 SLC NAND闪存系列可降低系统成本,提升系统安全性

赛普拉斯新款 SLC NAND闪存系列可降低系统成本,提升系统安全性

日前,赛普拉斯半导体推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前,高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码,并利用商用级SLC NAND闪存存储系统固件和应用。

贸泽开售SanDisk iNAND 8251 嵌入式闪存--为移动AR和物联网应用提供高效存储

贸泽开售SanDisk iNAND 8251 嵌入式闪存--为移动AR和物联网应用提供高效存储

2018年10月15日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式闪存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技术和UFS 2.1快速接口,具有出众的读写性能,可为大多数轻薄型计算设备和数据密集型移动设备提供存储解决方案。

西部数据公司推出支持先进汽车系统的新款3D NAND UFS嵌入式闪存盘

西部数据公司推出支持先进汽车系统的新款3D NAND UFS嵌入式闪存盘

西部数据公司今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽车嵌入式闪存盘(EFD),丰富了其高质量、高耐用性的汽车储存解决方案,用以满足对先进汽车系统和自动驾驶车辆的需求(如高级驾驶辅助系统ADAS)。西部数据公司iNAND® AT EU312 嵌入式闪存盘的 UFS 2.1接口,可提供高容量和相比较此前基于e.MMC 产品更强的性能,满足了汽车设备严格的质量和可靠性要求。

西部数据公司推出新款UFS 3.0 嵌入式闪存盘助力实现5G移动性

西部数据公司推出新款UFS 3.0 嵌入式闪存盘助力实现5G移动性

西部数据公司发布新款嵌入式闪存盘,旨在从速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及移动设备的功能,丰富5G时代环境下智能手机用户的移动体验。

西部数据和东芝开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片

西部数据和东芝开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片

日前,Blocks&Files新闻报道称,西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片,是东芝下一代3D NAND技术,被命名为BiCS5,目前的最新技术是BiCS4,是96层3D TLC,BiCS3为64层。

西部数据新款TM iNANDTM AT EM132 嵌入式闪存盘,满足车联网日益增长的数据需求

西部数据新款TM iNANDTM AT EM132 嵌入式闪存盘,满足车联网日益增长的数据需求

西部数据公司致力于满足汽车行业日益增长的存储需求,为汽车制造商和系统供应商提供先进技术和更高容量,以支持更广泛的汽车应用产品,包括电子驾驶舱(e-cockpit)、人工智能(AI)数据库、ADAS(高级驾驶辅助系统)、先进信息娱乐系统以及自动驾驶的计算机。

美光推出针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型NAND产品

美光推出针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型NAND产品

美光科技股份有限公司发布针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型NAND 产品。该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的需求,从而增强了驾驶体验。Micron® UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存储解决方案采用高性价比的 64 层 3D TLC NAND 架构,可提供超快速启动和汽车级可靠性。

美光推出汽车级UFS产品组合,为联网汽车提供沉浸式驾驶舱体验

美光推出汽车级UFS产品组合,为联网汽车提供沉浸式驾驶舱体验

美光科技股份有限公司已发布针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型 NAND 产品。该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的需求,从而增强了驾驶体验。Micron® UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存储解决方案采用高性价比的 64 层 3D TLC NAND 架构,可提供超快速启动和汽车级可靠性。

东芝推出XL-FLASH 3D SLC NAND 读取延迟小于5微秒

东芝推出XL-FLASH 3D SLC NAND 读取延迟小于5微秒

在去年的闪存峰会上东芝发布了XL-FLASH,这是一种用于低延迟SLC 3D NAND闪存,是用来与三星Z-NAND及英特尔3D XPoint竞争的产品。当时提供的细节很少,而现在东芝已经公布了更多细节,包括将其推向市场的时间表:下个月开始抽样,明年开始批量生产。

西部数据推出iNAND IX EM132嵌入式闪存盘,适用于工业级人工智能、物联网等应用

西部数据推出iNAND IX EM132嵌入式闪存盘,适用于工业级人工智能、物联网等应用

西部数据公司今日宣布推出一系列新产品,旨在满足用户对于高耐久度存储解决方案日益增长的需求——尤其是针对工业、智能和先进制造(包括多种物联网设备)等需要在严苛环境中操作的应用。

宜鼎打造工控SSD超凡规格 全新3D NAND TLC SSD效能倍增

宜鼎打造工控SSD超凡规格 全新3D NAND TLC SSD效能倍增

全球工控储存大厂宜鼎国际,将推出针对高阶市场应用的储存方案3TS5-P ,采用3D NAND TLC ,并符合JESD219负载标准,特别针对高速读写和长时间运作进行耐用测试,并优化硬件与固件设计,平均故障间隔时间 (MTBF)高于业界标准,为巨量数据用户与高阶应用提供更耐久的读写负荷需求。

东芝推出面向嵌入式的新型NAND闪存产品,以支持高速数据传输

东芝推出面向嵌入式的新型NAND闪存产品,以支持高速数据传输

全球存储器解决方案领导者东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,该公司已推出其第二代NAND闪存产品系列,这些产品具有更高的性能和容量[1],适用于嵌入式应用,可支持高速数据传输。新推出的串行接口NAND产品与广泛使用的串行外围设备接口(SPI)兼容,适用于各种消费、工业和通信应用。样品于即日起出货,计划从10月开始量产。

西部数据成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5

西部数据成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5

2020年2月10日,北京——西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5,继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成,以有竞争力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在车联网、移动设备和人工智能等相关数据呈现指数级增长的当下,BiCS5成为了理想的选择。

铠侠与西数推出面向智能手机的UFS 3.1存储器

铠侠与西数推出面向智能手机的UFS 3.1存储器

距离 JEDEC 正式发布 UFS 3.1 规范还不到一个月,铠侠(Kioxia)和西部数据(WD)就已经推出了首款适用于智能手机的 UFS 3.1 兼容存储器。前者将很快把相关样品交付给制造商,后者亦有望在下月实现商用,正好可以赶上 5G 主流智能机厂商的新品发布。

武汉新芯50nm闪存全线量产,逼近物理极限领先国际

武汉新芯50nm闪存全线量产,逼近物理极限领先国际

6月8日讯,从去年 12 月武汉新芯 50 纳米闪存技术取得突破,随后投入量产准备。从 65 纳米到 50 纳米的跃升,武汉新芯用了 18 个月。

东芯半导体 24nm Parallel NAND Flash 即将实现量产

东芯半导体 24nm Parallel NAND Flash 即将实现量产

东芯半导体Parallel NAND Flash 兼容传统的并行接口标准,适合大数据的读写,工艺制程24nm即将实现量产。

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND

慧荣科技宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。

FORESEE推出了nMCP(NAND-based MCP)系列产品

FORESEE推出了nMCP(NAND-based MCP)系列产品

经历了早期探索年代,如今可穿戴设备、物联网在应用领域的表现力逐渐增强,低功耗、小型化的需求促进了多芯片封装(MCP)存储产品的广泛应用。2019年,江波龙电子旗下嵌入式存储品牌FORESEE微存储产品线推出了nMCP(NAND-based MCP)系列产品4Gb+2Gb、2Gb+2Gb的容量组合。

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