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Spansion最快的1.8V高速串行NOR闪存,时钟频率时高达80MBytes/s

Spansion最快的1.8V高速串行NOR闪存,时钟频率时高达80MBytes/s

Spansion日前推出其最新的512Mb容量版FS-S串行NOR闪存系列。Spansion的FS-S系列拥有最快的1.8V串行外设接口(SPI)读速度,在80MHz quad DDR(双倍数据速率)时钟频率时高达80MBytes/s,比市场上大多数高密度1.8V SPI闪存快50% 。Spansion FS-S系列具备各类移动和嵌入式应用所要求的高容量、灵活和高性能的特点。

SST和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证

SST和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证

Microchip 通过其子公司SST与GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型(LPx)/RF平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存储器(NVM)产品已通过全面认证并开始投放市场。

高性能应用的最佳选择:赛普拉斯推出业界最高速HyperFlash NOR闪存产品

高性能应用的最佳选择:赛普拉斯推出业界最高速HyperFlash NOR闪存产品

近日,赛普拉斯半导体公司推出一款256Mb NOR HyperFlash产品3.0V S26KL256S HyperFlash,是高性能应用的最佳选择,新器件是业界首创的支持高带宽、少引脚的HyperBus接口的闪存中的最新产品。

ROHM旗下蓝碧石半导体开发适用于车载设备的NOR Flash存储器MR29V12852B

ROHM旗下蓝碧石半导体开发适用于车载设备的NOR Flash存储器MR29V12852B

ROHM集团旗下LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)开发出128Mbit NOR Flash存储器“MR29V12852B”,非常适用于对品质有高要求的车载设备和工业设备的数据存储介质。

东芝存储器株式会社开发出搭载QLC技术的96层BiCS FLASH

东芝存储器株式会社开发出搭载QLC技术的96层BiCS FLASH

7月20日——东芝存储器株式会社(Toshiba Memory Corporation)今日宣布,公司已成功开发出其享有专利的3D闪存——96层BiCS FLASH™的原型样品,该产品采用四位元(四阶存储单元,QLC)技术,可将单芯片存储器的存储容量提升至最高水平。

宝存科技推出最新一代G5i系列产品单卡最大容量达32TB

宝存科技推出最新一代G5i系列产品单卡最大容量达32TB

2018年7月,上海宝存信息科技有限公司 (Shannon Systems) 推出全新升级款 G5i 系列 "Shannon Direct-IO® PCIe Flash" 系列产品。宝存科技表示,本次发布的产品采用的 NAND 颗粒,从3D MLC 升级到目前最先进的3D TLC 的产品。在主控上,更是采用了兼具 ASIC 和 FPGA 优点的 FFSA 主控芯片。由此带来在新一代的产品容量已经可以做到全球最大32T 的单卡容量之下,性能还有了大大提升,可谓是鱼与熊掌兼得。

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