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其它IGBT
Mouser为您提供Fairchild 1200V场截止IGBT系列产品
新款 1200V 场截止 (Field Stop) IGBT 系列产品，具有极低的1.8V VCE(SAT)，是市场中1200V 快速切换 IGBT 中最小的之一，使其传导损耗降至最低。且其切换损耗非常低，EOFF 值仅为 27μJ/A。所有装置皆包含一个共同封装的二极管，此二极管已针对快速切换进行最佳化，产生较少的 EMI。此可使系统设计具有更高的功率密度、更好的控制与可重复性、更小的尺寸及更低的 BOM 成本。
NXP首款双极性晶体管与DPAK同性能，占用面积仅为后者一半
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日推出首款采用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60 V和100 V低饱和晶体管构成，集极电流最高为3 A (IC)，峰值集极电流(ICM)最高为8 A。新型晶体管的功耗为3 W (Ptot)，VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装（如DPAK）的双极性晶体管，其占用面积也减少了一半。
IR推出1200V Gen8 IGBT系列，提升工业应用的基准效率和耐用性
日前，IR 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
Fairchild全新1200V智能功率模块，用于工业电机控制
近日，Fairchild发布了1200V Motion SPM® 2模块，Fairchild首款1200V SPM采用高度坚固可靠的封装，打造比竞争对手解决方案更优异的热性能，该产品适用于开发高电压工业应用的客户。
英飞凌新型IGBT将工作在50Hz-20kHz的总功耗成功降至最低水平
英飞凌近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。
英飞凌发布最高效650V IGBT系列，用于电动汽车和混合动力汽车高速开关应用
英飞凌近日发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准，可降低诸如车载充电、功率因数校正（PFC）、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）应用的功率损耗并提高其可靠性。
ST新款M系列650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效
近日，意法半导体（ST）推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供更快捷经济的能效解决方案，新系列适用于暖通空调系统（HVAC）电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关电路拓扑20kHz功率转换应用。
ROHM开发出高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT
全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共21种机型。这些产品非常适用于UPS（不间断电源）、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH（感应加热）等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。
ST的先进IGBT专为软开关优化设计,可提高家电感应加热效率
意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能，提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。
士兰微电子推出1350V RC-IGBT
近期，士兰微电子推出了应用于家用电磁炉的1350V RC-IGBT系列产品。据悉，士兰微电子的600V单管 IGBT产品已经在电焊机和IPM领域大规模应用，获得了业内一致好评，此次推出的系列产品有1200V与1350V两档电压规格，覆盖了从15A至30A的电流规格。
ST 650V高频IGBT利用最新高速开关技术提升应用性能
意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止（TFS）技术，可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
ON推出基于SiC的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。
英飞凌推出采用TO-247封装的TRENCHSTOP IGBT7技术
【2020年9月29日，德国慕尼黑讯】继推出采用EconoDUAL™3和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之后，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日又推出业界领先的、基于分立式封装，即采用电压为650 V的TO-247封装的TRENCHSTOP IGBT7技术。全新TRENCHSTOP产品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A这些电流等级组成。它既能用于取代前代技术，也能与前代技术并行使用。该版本的IGBT7尤其适用于工业电机驱动、功率因
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非常适用于各种变频器的功率转换。
英飞凌推出采用SOT-223封装的600V 1-6A逆导型IGBT
采用SOT-223封装的600V 1-6A逆导型 IGBT，目标应用为小功率家电电机驱动，吊扇，料理机，油烟机，冰箱，空调室内机。
上海贝岭推出汽车点火IGBT器件
随着汽油成本上升以及人们对汽车尾气排放带来的环境问题的日益关注，汽车工业正在加快研究开发油耗更低、功率密度更高、鲁棒性更强的新型动力传动系统。汽车点火系统作为动力传动系统的重要组成部分，对系统效率、减少尾气污染和鲁棒性有着重要的作用。
