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其它IGBT

Mouser为您提供Fairchild 1200V场截止IGBT系列产品

Mouser为您提供Fairchild 1200V场截止IGBT系列产品

新款 1200V 场截止 (Field Stop) IGBT 系列产品,具有极低的1.8V VCE(SAT),是市场中1200V 快速切换 IGBT 中最小的之一,使其传导损耗降至最低。且其切换损耗非常低,EOFF 值仅为 27μJ/A。所有装置皆包含一个共同封装的二极管,此二极管已针对快速切换进行最佳化,产生较少的 EMI。此可使系统设计具有更高的功率密度、更好的控制与可重复性、更小的尺寸及更低的 BOM 成本。

NXP首款双极性晶体管与DPAK同性能,占用面积仅为后者一半

NXP首款双极性晶体管与DPAK同性能,占用面积仅为后者一半

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日推出首款采用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60 V和100 V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3 A (IC),峰值集极电流(ICM)最高为8 A。新型晶体管的功耗为3 W (Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。

IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性

IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性

日前,IR 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

Fairchild全新1200V智能功率模块,用于工业电机控制

Fairchild全新1200V智能功率模块,用于工业电机控制

近日,Fairchild发布了1200V Motion SPM® 2模块,Fairchild首款1200V SPM采用高度坚固可靠的封装,打造比竞争对手解决方案更优异的热性能,该产品适用于开发高电压工业应用的客户。

英飞凌新型IGBT将工作在50Hz-20kHz的总功耗成功降至最低水平

英飞凌新型IGBT将工作在50Hz-20kHz的总功耗成功降至最低水平

英飞凌近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。

英飞凌发布最高效650V IGBT系列,用于电动汽车和混合动力汽车高速开关应用

英飞凌发布最高效650V IGBT系列,用于电动汽车和混合动力汽车高速开关应用

英飞凌近日发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准,可降低诸如车载充电、功率因数校正(PFC)、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)应用的功率损耗并提高其可靠性。

ST新款M系列650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

ST新款M系列650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效

近日,意法半导体(ST)推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供更快捷经济的能效解决方案,新系列适用于暖通空调系统(HVAC)电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关电路拓扑20kHz功率转换应用。

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