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其它二极管
美高森美提供用于航空航天和国防领域应用的二极管
美高森美公司日前宣布提供符合美国国防后勤机构(DLA)要求的全新肖特基二极管产品系列，适用于需要高功率密度和优良散热性能(通常为0.2-0.85 C/W)的航空航天和国防领域应用。
Littelfuse新型多脉冲SIDAC，脉冲电压提高20%
Littelfuse的Kxxx1GL系列Multipulse SIDAC旨在用于220-240V交流线路安装的晶闸管电源控制设备，晶闸管在与电容和变压器搭配使用的情况下，可产生点亮金属卤化物灯泡所需的多个高压脉冲。这些新型设备能以更低的开关损耗实现更高的脉冲电压，对输入电压变化的耐受性更高。
ROHM新开发出高电压型齐纳二极管“UDZLV系列”
ROHM在适用于各种电子电路的恒压用途和保护用途的齐纳二极管系列产品阵容中，又新增了高电压型“UDZLV系列”。用户可根据用途从51V到150V共12种齐纳电压中进行选择。
ROHM推出齐纳二极管（高电压型）UDZ LV系列
ROHM推出齐纳二极管在各种电子电路中作为恒压保护使用，此次新增加了高电压型"UDZ LV系列"。根据用途可选择51V到150V之间12种齐纳电压，特别适用于车载ECU(引擎控制部)的保护。因为确保优异的抗浪涌性，在消费类设备、车载、工业设备等广泛应用中实现高可靠性。
ROHM为RASMID产品阵容增添TVS二极管 VS3V3BxxFS系列，实现业界最小级尺寸
ROHM开发出01005尺寸（0402mm）业界最小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。是ROHM世界最小元器件“RASMID（ROHM Advanced Smart Micro Device）系列”中的一个系列。与以往的0201尺寸（0603mm）相比，面积缩减了56％，体积缩减了81%，实现了业界最小级尺寸，有助于智能产品的更高密度安装。
Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管
美国加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管
美国加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
安森美半导体发布碳化硅二极管用于要求严苛的汽车应用
安森美半导体发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。
提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品
据外媒报道，在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上，英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品，肖特基（Schottky）二极管，并为其新创了一个品牌名CoolSiC。此二极管专为混合动力车和电动车中的车载充电器（OBC）应用而设计。
Littelfuse 碳化硅肖特基二极管降低能源成本和空间要求
Littelfuse今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管，扩充其碳化硅电源半导体产品组合。 相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。 本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧洲展会期间举办。
台湾陈家浩博士团队成功研发出单原子层二极体，厚度仅 0.7 nm
11月21日消息，积体电路制程突破，由成功大学物理系吴忠霖教授、国家同步辐射研究中心陈家浩博士等人组成的团队，成功研发出仅单原子层厚度（0.7 nm）且具优异逻辑开关特性的二硒化钨二极体。据团队说法，负责运算的传输电子被限定在单原子层内，将大幅降低干扰并增加运算速度，若未来应用在数位装置，运算速度预期可超过现今电脑千倍、万倍。
科学家设计出首个“磁场二极体” 有望提升基于磁场的无线供电效率
由于具有广泛应用前景，许多研究人员都在针对不同领域的超材料(Metamaterial)进行研究，而英国萨塞克斯大学(University of Sussex)科学家 Jordi Prat-Camps 也是其中之一。在最新一项研究中，Prat-Camps 和同事成功创造出一种能够在两物体间单向传输磁场的材料，预期未来将能协助提高基于磁性的无线供电效率。
Littelfuse推出SiC肖特基二极管LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA
Littelfuse推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 它们可为电力电子系统设计师提供各种性能优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理应用的理想选择。
PI推出汽车级200 V Qspeed二极管，可大幅增强音频放大器的性能
美国加利福尼亚州圣何塞，2019年9月10日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布其200 V Qspeed™二极管 – LQ10N200CQ和LQ20N200CQ – 现已通过AEC-Q101汽车级认证。Qspeed硅二极管采用混合PIN技术，可在软开关和低反向恢复电荷(Qrr)之间提供独特的平衡。该特性有助于降低EMI和输出噪声，这对于车载音响系统特别重要。
意法半导体发布新抗辐射加固器件，提高航天应用能效
中国，2020年5月14 日——为了进一步扩大航天级抗辐射加固功率器件的产品组合，意法半导体推出了新的已通过ESCC（欧洲航天元器件协调委员会）认证的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[ SEB: 单粒子烧毁–重度电离辐射（例如：太空应用中的宇宙射线）导致的电子元器件毁坏。]效应的肖特基整流管。
意法半导体推出薄型贴装肖特基二极管，提高功率密度和能效
意法半导体新推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管。新二极管的厚度是1.0mm，比标准SMA和SMB封装产品薄50％，让设计人员能够在提高功率密度的同时节省空间。封装面积与标准SMA和SMB相同，可直接插入替换原来的器件。
东芝推出四款650V肖特基势垒二极管
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）为扩大其产品线，现推出了四款650V肖特基势垒二极管（SBD）：“TRS12N65FB”、“TRS16N65FB”、“TRS20N65FB”和“TRS24N65FB”。这四款SBD产品均为碳化硅材质，这种新兴材料能提高电源功率因数校正（PFC）效率。这些产品均采用TO-247封装并具有12A、16A、20A、24A等四种正向直流额定值（双支路），可提高设备功率。
东芝推出用于电源线浪涌保护的齐纳二极管
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）将依次生产CEZ、CUZ、MUZ、MSZ四个系列的24款齐纳二极管产品。这些产品可防止半导体器件受开关浪涌、感应雷电过压[1]以及静电放电（ESD）[2]影响。
