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激光(光电)二极管
Vishay高速PIN光电二极管帮助可穿戴设备实现准确信号检测
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新的对可见光有更高感光度的高速硅PIN光电二极管---VEMD5080X01，丰富了其光电子产品组合。
瑞萨电子推出业内首款25 Gbps直调激光二极管RV2X6376A
RV2X6376A系列的设计采用经典的NRZ调制的紧凑型100 Gbps QSFP28光收发器模块。 它们与粗波分复用（CWDM4）标准兼容，每通道25 Gbps，通过复用4个通道，实现100 Gbps。RV2X6376A系列扩展了激光二极管系列产品，集成了已在数据中心中大规模应用且工作温度在-5°C至75°C范围内的NX6375AA系列。
Vishay 推出新款高速PIN光电二极管---VEMD8080
日前，Vishay 宣布推出了新的光电子产品系列，发布了一款全新的可见光敏感度增强型高速硅PIN光电二极管---VEMD8080。Vishay的新型号VEMD8080采用矩形4.8 mm×2.5 mm顶视表面贴合封装，并采用业界领先的0.48mm轻薄断面，比同类解决方案低0.37 mm。Vishay半导体VEMD8080具有快速开关时间和47 pF的低电容值，可用于在可穿戴设备和医疗应用中需求的精确信号检测。
欧司朗光电半导体推出SPL DS90A＿3激光脉冲激光二极管
LiDAR（激光探测与测量）是几乎所有驾驶辅助系统的一个重要组成部分（特斯拉除外）。半自动或自动车辆中的紧急制动和车道辅助等系统都采用LiDAR来计算距离。欧司朗光电半导体日前宣布，已推出新型SPL DS90A＿3激光脉冲激光二极管，能为LiDAR系统提供更强大更高效的脉冲激光二极管。
日本九州大学研制出有机半导体激光二极管
近日，日本九州大学（Kyushu University）有机光子与电子研究中心（OPERA）的科学家们在《应用物理快报（Applied Physics Express ）》期刊上报告称，他们通过足够多的数据令人信服地表明，有机半导体激光二极管终于实现了。论文领导作者 Atula S. D. Sandanayaka 表示：“我认为业界中许多人都在怀疑，我们是否真正有一天能实现有机激光二极管。但是，通过改进材料和创新器件结构，慢慢突破各项性能极限，我们最终还是做到了。”
X-FAB基于180nm的工艺技术推出高灵敏度SPAD和APD器件
X-FAB Silicon Foundries继续开发突破性的工艺方案以解决富有挑战性的设计，现宣布推出雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD) 器件，用于满足在微弱光源条件下所需的灵敏度，以及严格的时间分辨率。
卡迪夫大学开发出世界领先的复合半导体雪崩光电二极管，可将光转化为电
英国科学家已经开发出世界领先的复合半导体(CS)技术，可以驱动未来的高速数据通信。卡迪夫大学(Cardiff University)复合半导体研究所(ICS)的一个团队与合作者合作，创新了一种超快、高灵敏度的“雪崩光电二极管”(APD)，这种二极管产生的电子“噪音”比它的硅竞争对手要小。apd是一种高度敏感的半导体器件，它利用“光电效应”(当光照射到材料上时)将光转化为电。
伍尔特电子提供光电二极管和光电晶体管
伍尔特电子正在扩展其光电子产品组合：继红外 LED 之后，该公司目前还计划推出丰富多样且与 LED 完美匹配的探测器产品。根据各种红外应用的要求，发射器和探测器的光谱是匹配的。所有红外元件均可现货供应，还可以提供免费样品。
美国研发出雪崩光电二极管，打破激光雷达光电探测器性能极限
传感和成像应用需要工作在2μm波段的高灵敏度光电探测器，但暗电流密度（Jdark）难以控制，严重阻碍了前沿器件的研发进展。中红外（2——5 μm）探测所用窄带隙材料受到载流子复合和能带间隧道效应的困扰，因此中红外探测器只能在低温下工作。HgCdTe（碲镉汞）是目前最常用的材料系统，工作于温度为125K时，增益为10，Jdark为3 × 10⁴ A cm⁻²。
京都半导体推出一款高速光电二极管KP-H KPDEH12L-CC1C
京都半导体股份有限公司（Kyoto Semiconductor Co., Ltd.，总部位于日本京都）开发了一款高速光电二极管KP-H KPDEH12L-CC1C，以支援数据中心内部和数据中心之间使用脉冲幅度调制4 (PAM4)的400Gbps传输系统。随着此款InGaAs光电二极管的推出，我们将持续支援5G及其以上传输系统不断增长的超高速及大容量需求。量产将于2020年 11月开始。
Vishay推出表面贴装汽车级硅 PIN 光电二极管
2020年 9月28日 — 日前，Vishay宣布推出新款表面贴装汽车级硅 PIN 光电二极管，外形尺寸为 0805，高度仅为 0.7 mm — 比前一代器件低 0.15 mm。Vishay Semiconductors VEMD4010X01 和 VEMD4110X01 采用黑色封装，不透明侧壁，消除多余侧面光，提高信噪比。
ActLight推出可调谐CMOS光电二极管，提升物联网中激光雷达的3D性能
10月29日消息，瑞士开发商ActLight开发了一种可调谐CMOS光电二极管，以实现物联网(IoT)中LiDaR传感器的低光操作。
Excelitas推出用于测距和工业LiDAR的Gen2 905nm激光二极管
美国马萨诸塞州沃尔瑟姆市–全球创新的定制化光电解决方案技术领导者埃赛力达科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）近期推出增强型Gen2 905 nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管。第二代905 nm脉冲激光二极管采用多层单片式芯片设计，具有更高效率（3 W/A），可实现更远距离的测量并降低了功耗，同时改进了GaAs结构，可在30 A的驱动下提供85 W的脉冲峰值功率，与第一代产品相比激光功率增加了20%以上。
Vishay推出业界首款采用表面贴装封装的4象限硅PIN光电二极管
宾夕法尼亚州马尔文市-2020年12月9日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）的光电集团今天推出了业界首款采用标准表面安装封装的四象限硅PIN光电二极管，该封装适用于汽车应用。 Vishay Semiconductors K857PE结合了高光敏度和低0.1％的串扰，并且各段之间几乎没有容差，可为汽车，消费类和工业市场提供各种传感器和控制应用。
X-FAB推出最新一代的雪崩光电二极管和单光子雪崩二极管器件
X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出最新一代的雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD）器件。
Vishay高速PIN光电二极管可提高生物传感器的性能，可穿戴设备的纤薄设计
宾夕法尼亚州马尔文市-2021年2月17日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天推出了一种新型的高速硅PIN光电二极管，以增强其对可见光和红外光的敏感性，从而拓宽了其光电产品系列。 Vishay Semiconductors VEMD8081具有4.8mm x 2.5mm矩形顶面，表面贴装的封装以及0.48mm的业界低轮廓，可提供33 µA的典型反向光电流，以提高可穿戴设备和医疗应用中的生物传感器性能。
ROHM推出LiDAR用75W高输出功率激光二极管RLD90QZW3
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”，非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2（无人搬运车）和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
BluGlass推出全新的隧道结激光二极管：热损失减少近一半
2021 年 8 月 17 日消息，澳大利亚，半导体制造技术和设备制造商 BluGlass 使用其专有的远程等离子体化学气相沉积（RPCVD）技术成功制造了隧道结激光二极管。该公司在一份新闻稿中表示，已概念验证这是“世界第一”。
